1.一种核壳结构n-二氧化钛@p-钛酸钴纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)将干净的基片安装在磁控溅射仪的样品台，将CoTiO3靶和TiO2靶分别安装在磁控溅射仪的两个射频靶位上；

(2)对磁控溅射仪的溅射镀膜室抽真空，当真空度达到1.0×10-4Pa～9.9×10-4Pa时，向溅射镀膜室通入惰性气体，并使溅射镀膜室的气体压强保持在0.1Pa～2Pa；CoTiO3靶预溅射5～15min；

(3)将基片升温至300℃～600℃并保温，CoTiO3靶开始溅射30min～90min，得到CoTiO3有序纳米晶薄膜；

(4)调节CoTiO3有序纳米晶薄膜和TiO2靶材相互平行，TiO2靶材溅射10s～120s，得到核壳结构n-二氧化钛@p-钛酸钴纳米晶薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种核壳结构n-二氧化钛@p-钛酸钴纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)中CoTiO3靶溅射的法线方向与基片法线的夹角为0°～90°。

3.根据权利要求1所述的一种核壳结构n-二氧化钛@p-钛酸钴纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)中CoTiO3靶和基片的距离在1cm～7cm。

4.根据权利要求1所述的一种核壳结构n-二氧化钛@p-钛酸钴纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)中惰性气体为Ar气。

5.根据权利要求1所述的一种核壳结构n-二氧化钛@p-钛酸钴纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(3)中升温速度为10℃/min～30℃/min。

6.根据权利要求1所述的一种核壳结构n-二氧化钛@p-钛酸钴纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)和步骤(3)中CoTiO3靶的靶电源功率均为100W～400W。

7.根据权利要求1所述的一种核壳结构n-二氧化钛@p-钛酸钴纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(4)中溅射之前，调节TiO2靶材和基片之间的距离为3～7cm。

8.根据权利要求1所述的一种核壳结构n-二氧化钛@p-钛酸钴纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(4)中溅射时，温度在300℃～600℃。

9.根据权利要求1所述的一种核壳结构n-二氧化钛@p-钛酸钴纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(4)中TiO2靶材的靶电源功率为50W～200W。

10.一种利用权利要求1所述制备方法制得的核壳结构n-二氧化钛@p-钛酸钴纳米晶薄膜。