1.一种室温水溶液法生长硒化亚锡纳米棒锥单晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将二氯化锡和螯合剂加入到水中，得到溶液A；在硒粉溶解在氢氧化钾水溶液中，形成溶液B；其中二氯化锡和螯合剂的摩尔比为1：(5～100)；硒粉和氢氧化钾的摩尔比为1：(200～300)；

步骤二：将溶液A和溶液B混合，得到溶液C，溶液C先变成无色然后逐渐变为黑色，反应结束，将黑色的溶液进行分离，获得硒化亚锡纳米棒锥单晶；

步骤一中的螯合剂包括L-酒石酸或D-酒石酸；步骤二中反应时间为2～10分钟。

2.根据权利要求1所述的一种室温水溶液法生长硒化亚锡纳米棒锥单晶的方法，其特征在于：步骤一中的水采用电阻率为18MΩ的高纯水。

3.根据权利要求1所述的一种室温水溶液法生长硒化亚锡纳米棒锥单晶的方法，其特征在于：步骤一的溶液B中硒粉的浓度为0.05mol/L。

4.根据权利要求1所述的一种室温水溶液法生长硒化亚锡纳米棒锥单晶的方法，其特征在于：步骤二中反应的温度为0～30℃。

5.根据权利要求1所述的一种室温水溶液法生长硒化亚锡纳米棒锥单晶的方法，其特征在于：步骤二中黑色的溶液经过离心速率为8000～10000转/分钟的离心分离获得硒化亚锡纳米棒锥单晶。

6.根据权利要求5所述的一种室温水溶液法生长硒化亚锡纳米棒锥单晶的方法，其特征在于：离心分离的时间为3分钟。

7.一种利用权利要求1所述方法生长得到的硒化亚锡纳米棒锥单晶，其特征在于：该硒化亚锡纳米棒锥单晶的直径在40～60纳米，长度在500～600纳米。

8.根据权利要求7所述的硒化亚锡纳米棒锥单晶，其特征在于：该硒化亚锡纳米棒锥单晶为黑色。