1.一种低损耗半导体功率器件，其特征在于，包括：

第一导电型的衬底，其底端配置有MOS功率器件的漏极，所述衬底上端配置有第一导电型的外延层；

第二导电型的沟道，其间隔配置在所述外延层中；

第二导电型的体区，其配置在所述沟道和外延层上部，其中，所述体区至少覆盖在两个相邻所述沟道的上端形成相邻体区，所述体区内配置有第一导电型的源极，所述相邻体区之间的上端配置有栅极；

其中，所述沟道中至少存在两个未被所述体区覆盖的第一独立沟道和第二独立沟道，所述第一独立沟道上部配置有第一PN结，所述外延层上端绝缘配置有第一电阻，所述第一PN结的阳极与所述栅极连接，所述第一PN结的阴极通过所述第一电阻与所述源极共接。

2.如权利要求1所述的低损耗半导体功率器件，其特征在于，所述外延层上端还绝缘配置有第二电阻，其与所述栅极导电连接。

3.如权利要求2所述的低损耗半导体功率器件，其特征在于，所述第二独立沟道上部配置有第二PN结，所述第二电阻通过所述第二PN结与所述栅极导电连接，所述第二电阻与所述第二PN结的阳极连接，所述第二PN结的阴极与所述栅极连接。

4.如权利要求3所述的低损耗半导体功率器件，其特征在于，所述第一PN结的阳极连接在所述第二PN结和所述栅极的共接端。

5.如权利要求4所述的低损耗半导体功率器件，其特征在于，所述第一独立沟道的上部配置有第一导电型的第一基区，其上部配置有第二导电型的第一区，所述第一基区上端配置有第一导电型的第二区。

6.如权利要求5所述的低损耗半导体功率器件，其特征在于，所述第二独立沟道的上部配置有第一导电型的第二基区，其上部配置有第二导电型的第三区，所述第二基区上端配置有第一导电型的第四区。

7.如权利要求6所述的低损耗半导体功率器件，其特征在于，所述第一导电型为N型，所述第二导电型为P型，所述第一区为所述第一PN结的阳极，所述第二区为所述第一PN结的阴极，所述第三区为所述第二PN结的阳极，所述第四区为所述第二PN结的阴极。

8.如权利要求6所述的低损耗半导体功率器件，其特征在于，所述第一导电型为P型，所述第二导电型为N型，所述第二区为所述第一PN结的阳极，所述第一区为所述第一PN结的阴极，所述第四区为所述第二PN结的阳极，所述第三区为所述第二PN结的阴极。

9.如权利要求7或8所述的低损耗半导体功率器件，其特征在于，所述第一PN结至少为2个，每一个第一PN结独立配置在一个所述第一独立沟道中，每一个第一PN结的阳极与阳极并联、阴极与阴极并联。