1.一种抗电磁干扰的功率器件，其特征在于，包括：

第一导电型的衬底，其底端配置有MOS功率器件的第一漏极，所述衬底上端配置有第一导电型的外延层；

第二导电型的沟道，其间隔配置在所述外延层中；

第二导电型的体区，其配置在所述沟道和外延层上部，其中，所述体区至少覆盖在两个相邻所述沟道的上端形成相邻体区，所述体区内配置有第一导电型的第一源极，所述相邻体区之间的上端配置有第一栅极；

其中，所述沟道中至少存在两个未被所述体区覆盖的第一独立沟道和第二独立沟道，所述第一独立沟道上部配置有金属-氧化物半导体场效应管，所述外延层上端绝缘配置有第一电阻，所述金属-氧化物半导体场效应管的第二漏极和第二栅极同时与所述第一栅极连接，所述金属-氧化物半导体场效应管的第二源极通过所述第一电阻与所述第一源极共接；

所述金属-氧化物半导体场效应管至少为2个，每一个金属-氧化物半导体场效应管独立配置在一个所述第一独立沟道中，每一个金属-氧化物半导体场效应管的各个第二栅极并联、各个第二漏极并联、各个第二源极并联。

2.如权利要求1所述的抗电磁干扰的功率器件，其特征在于，所述外延层上端还绝缘配置有第二电阻，其与所述第一栅极导电连接。

3.如权利要求2所述的抗电磁干扰的功率器件，其特征在于，所述第二独立沟道上部配置有PN结，所述第二电阻通过所述PN结与所述第一栅极导电连接，所述第二电阻与所述PN结的阳极连接，所述PN结的阴极与所述第一栅极连接。

4.如权利要求3所述的抗电磁干扰的功率器件，其特征在于，所述金属-氧化物半导体场效应管的第二漏极和第二栅极连接在所述PN结和所述第一栅极的共接端。

5.如权利要求4所述的抗电磁干扰的功率器件，其特征在于，所述第一独立沟道的上部间隔配置有第一导电型的源区和漏区，所述源区上端设置有所述第二源极，所述漏区上端设置有所述第二漏极，所述源区和漏区上端配置有所述第二栅极。

6.如权利要求5所述的抗电磁干扰的功率器件，其特征在于，所述第二独立沟道的上部配置有第一导电型的基区，其上部配置有第二导电型的第一区，所述基区上端配置有第一导电型的第二区。

7.如权利要求6所述的抗电磁干扰的功率器件，其特征在于，所述第一导电型为N型，所述第二导电型为P型，所述第一区为所述PN结的阳极，所述第二区为所述PN结的阴极。

8.如权利要求6所述的抗电磁干扰的功率器件，其特征在于，所述第一导电型为P型，所述第二导电型为N型，所述第二区为所述PN结的阳极，所述第一区为所述PN结的阴极。