1.一种高导电性二硫化钼纳米薄膜，其特征在于，所述高导电性二硫化钼纳米薄膜由二硫化钼及氯化铜构成，所述氯化铜与二硫化钼的摩尔比为0.01-0.77:1；

所述高导电性二硫化钼纳米薄膜的制备方法包括以下步骤：步骤1：制备二硫化钼溶液，利用锂离子嵌入的方法制备单层二硫化钼，得到带有负电的二硫化钼溶液；

步骤2：取步骤1所制备的二硫化钼溶液，稀释至一定浓度，真空抽滤成膜；

步骤3：当膜表面没有二硫化钼溶液时，立即继续加入氯化铜溶液，利用剥离后的二硫化钼带负电、带有缺陷的特性，吸附铜离子，缓慢抽滤；

步骤4：将抽干的薄膜取下，用去离子水冲洗，放入烘箱真空干燥；

所述步骤1中，二硫化钼溶液的制备方法，包括：步骤11：采用有机溶剂溶解二硫化钼，密封，抽真空；

步骤12：向步骤11中加入保护气体，加入正丁基锂反应48h、离心处理；

步骤13：真空干燥步骤12所得样品，配制一定浓度的溶液超声处理；

步骤14：离心，取上层溶液，测定浓度备用。

2.根据权利要求1所述的高导电性二硫化钼纳米薄膜，其特征在于，所述氯化铜与二硫化钼的摩尔比0.01-0.1:1。

3.根据权利要求1所述的高导电性二硫化钼纳米薄膜，其特征在于，所述纳米薄膜的电导率为60-101S/cm。

4.权利要求1-3任一所述的高导电性二硫化钼纳米薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：制备二硫化钼溶液；

步骤2：取步骤1所制备的二硫化钼溶液，稀释至一定浓度，真空抽滤成膜；

步骤3：当膜表面没有二硫化钼溶液时，立即继续加入氯化铜溶液，缓慢抽滤；

步骤4：将抽干的薄膜取下，用去离子水冲洗，放入烘箱真空干燥；

所述步骤1中，二硫化钼溶液的制备方法，包括：步骤11：采用有机溶剂溶解二硫化钼，密封，抽真空；

步骤12：向步骤11中加入保护气体，加入正丁基锂反应48h，离心处理得到Li-MoS2；

步骤13：真空干燥步骤12所得样品，配成一定浓度的溶液超声处理；

步骤14：离心，取上层溶液，测定浓度备用。

5.根据权利要求4所述的高导电性二硫化钼纳米薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤11中，有机溶剂为超干正己烷；所述有机溶剂与二硫化钼的质量比为3-15:0.1-1。

6.根据权利要求4所述的高导电性二硫化钼纳米薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤12中，保护气体为氮气，正丁基锂与二硫化钼的摩尔比为1：1.7-2.56，在3500rpm下离心

10min。

7.根据权利要求4所述的高导电性二硫化钼纳米薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤13中，配置溶液浓度为1.5mg/ml，超声处理的时间为1h；所述步骤14中，8000rpm条件下离心30min。

8.根据权利要求4所述的高导电性二硫化钼纳米薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤4中，干燥的温度为45-50℃。