1.一种基于气相TMAH的硅刻蚀系统，其特征在于：包括加热腔（27）和刻蚀腔（11），所述加热腔（27）顶面采用密封法兰（30）密封，所述刻蚀腔（11）顶面放置晶元夹具（3）、并通过背面保护腔（5）盖合密封；所述加热腔（27）、刻蚀腔（11）及背面保护腔（5）壁外设置有加热丝（7）；

所述背面保护腔（5）内安装背面保护腔温度传感器（8），所述刻蚀腔（11）内安装刻蚀腔温度传感器（10）和刻蚀腔压力传感器（12），所述加热腔（27）内安装加热腔温度传感器（28）和加热腔压力传感器（29）；

所述加热腔（27）和刻蚀腔（11）通过中间管路（13）连通，即中间管路（13）的上端由刻蚀腔（11）底面伸入、并安装小锥形管（13a），所述小锥形管（13a）位于刻蚀腔（11）内晶元夹具（3）的下方，中间管路（13）的下端由密封加热腔（27）的密封法兰（30）伸入、并安装大锥形管（13b），所述大锥形管（13b）位于加热腔（27）内TMAH溶液（26）上方；所述中间管路（13）内依次安装刻蚀腔主阀（14）和磁力泵（31）；

所述刻蚀腔（11）通过气体回流管（16）与冷凝腔（19）进口连通，所述气体回流管（16）内安装回流阀（15）；所述冷凝腔（19）出口连接液体回流管（23），所述液体回流管（23）穿过密封法兰（30）后伸入加热腔（27）；所述液体回流管（23）上连接尾气出口接口（20）；所述冷凝腔（19）通过冷却水进水管路（21a）和冷却水回水管路（21b）连接水冷机（22）；

所述冷凝腔（19）进口通过分流管（25）与位于中间管路（13）上刻蚀腔主阀（14）和磁力泵（31）之间的空间连通，所述分流管（25）上安装分流阀（24）；

所述冷凝腔（19）进口通过溢流管（18）与加热腔（27）连通，所述溢流管（18）上安装溢流阀（17）；

所述刻蚀腔（11）通过氮气管路（32）连接氮气源，所述氮气管路（32）上安装氮气阀（33）。

2.根据权利要求1所述的基于气相TMAH的硅刻蚀系统，其特征在于：所述加热腔（27）、刻蚀腔（11）、背面保护腔（5）及中间管路（13）外表面均设置有保温层（6）。

3.根据权利要求1或2所述的基于气相TMAH的硅刻蚀系统，其特征在于：还包括传送系统，所述传送系统包括液压泵（9），所述液压泵（9）通过液压传动机构（4）控制背面保护腔（5）的打开和密封盖合；所述传送系统包括步进电机（36），所述步进电机（36）控制机械臂（35）实现晶元夹具（3）的放置和取出；所述机械臂（35）位于传送腔（2）内，所述传送腔（2）内设置喷淋装置（34）。

4.根据权利要求1所述的基于气相TMAH的硅刻蚀系统，其特征在于：所述加热腔（27）、刻蚀腔（11）、背面保护腔（5）及中间管路（13）均采用石英或聚四氟乙烯材料制成；所述晶元夹具（3）采用聚四氟乙烯材料制成。

5.根据权利要求1所述的基于气相TMAH的硅刻蚀系统，其特征在于：所述刻蚀腔主阀（14）为流量阀。

6.根据权利要求1所述的基于气相TMAH的硅刻蚀系统，其特征在于：所述刻蚀腔主阀（14）、回流阀（15）、溢流阀（17）、分流阀（24）及尾气处理接口（20）均采用耐腐蚀电磁阀。

7.根据权利要求1所述的基于气相TMAH的硅刻蚀系统，其特征在于：所述加热腔（27）内TMAH溶液（26）浓度高于25%。

8.根据权利要求1所述的基于气相TMAH的硅刻蚀系统，其特征在于：所述刻蚀腔（11）内刻蚀温度为110℃-125℃。