1.一种基于TMAH的气相刻蚀方法，其特征在于：包括如下步骤：

（1）、在单晶硅基片上利用热氧生长一层SiO2掩膜层薄膜；

（2）、利用紫外光刻实现在基片图形化工艺；

（3）、利用光刻胶做掩膜，采用体积比HF：NH4F=1:4配制BOE溶液刻蚀SiO2，丙酮洗掉光刻胶形成以SiO2为掩膜的刻蚀窗口；

（4）、利用密闭且冷凝循环的刻蚀装置在磁力搅拌加热器上实现刻蚀气体的阵列结构刻蚀；

刻蚀装置的结构为，包括气相刻蚀腔体（2），所述气相刻蚀腔体（2）内盛装TMAH刻蚀液（1），所述气相刻蚀腔体（2）由腔盖（21）密封；所述腔盖（21）上安装伸入腔体内的温度计（5）及冷凝进管（61）、冷凝回流管（62），所述冷凝进管（61）和冷凝回流管（62）连接冷凝装置（6）；所述TMAH刻蚀液（1）为含5分子结晶水的四甲基氢氧化铵晶体与水配成质量分数为20%～45%的溶液，液面位置淹没冷凝回流管（62）；所述腔盖（21）内安装刻蚀基片放置箱，所述刻蚀基片放置箱包括无底的箱体（31），所述箱体（31）内底面放置硅晶圆基片（3），所述硅晶圆基片（3）背面密封压合有背面保护壳（4），所述箱体（31）上安装箱盖（32），所述箱盖（32）通过连接杆（33）与位于腔盖（21）外的固定块（34）连接。

2.根据权利要求1所述的基于TMAH的气相刻蚀方法，其特征在于：步骤（4）中，磁力搅拌加热器设置转速为400～600r/min。

3.根据权利要求1所述的基于TMAH的气相刻蚀方法，其特征在于：步骤（4）中，气相刻蚀腔体（2）内温度保持在110℃～115℃。

4.一种气相刻蚀装置，其特征在于：包括气相刻蚀腔体（2），所述气相刻蚀腔体（2）内盛装TMAH刻蚀液（1），所述气相刻蚀腔体（2）由腔盖（21）密封；所述腔盖（21）上安装伸入腔体内的温度计（4）及冷凝进管（61）、冷凝回流管（62），所述冷凝进管（61）和冷凝回流管（62）连接冷凝装置（6）；所述TMAH刻蚀液（1）为含5分子结晶水的四甲基氢氧化铵晶体与水配成质量分数为20%～45%的溶液，液面位置淹没冷凝回流管（62）；所述腔盖（21）内安装刻蚀基片放置箱，所述刻蚀基片放置箱包括无底的箱体（31），所述箱体（31）内底面放置硅晶圆基片（3），所述硅晶圆基片（3）背面密封压合有背面保护壳（4），所述箱体（31）上安装箱盖（32），所述箱盖（32）通过连接杆（33）与位于腔盖（21）外的固定块（34）连接。