1.一种瞬态电压抑制器的制作方法，其包括如下步骤：

提供P型衬底，在所述P型衬底制作P型外延层，在所述P型外延层表面形成氧化层；

利用第一光刻胶作为掩膜，采用干法刻蚀所述氧化层形成第一注入窗口，通过所述第一注入窗口进行P型离子注入形成P型隔离阱；

利用所述第一光刻胶作为掩膜，采用干法/湿法刻蚀所述氧化层形成多个第二注入窗口，通过所述多个第二注入窗口在所述P型外延层表面进行N型离子注入；

去除所述第一光刻胶，进行热退火形成N型掺杂区域；

在所述第一注入窗口、所述第二注入窗口及所述氧化层表面及侧面形成介质层；

干法刻蚀所述介质层从而形成介质侧墙，所述介质侧墙覆盖所述第一注入窗口、所述多个第二注入窗口中位于中间的第二注入窗口，所述介质侧墙还形成于所述多个第二注入窗口两端的第二注入窗口处的氧化层的侧面；及通过所述多个第二注入窗口两端的第二注入窗口进行P型离子注入形成第一P型掺杂区域与第二P型掺杂区域，干法刻蚀所述介质侧墙形成对应所述第一P型掺杂区域的第一开口及对应所述第二P型掺杂区域的第二开口；

其中，所述第一P型掺杂区域与所述N型掺杂区域形成第一齐纳二极管，所述第二P型掺杂区域与所述N型掺杂区域形成第二齐纳二极管，所述第一齐纳二极管与所述第二齐纳二极管共用所述N型掺杂区域使得所述第一齐纳二极管与所述第二齐纳二极管负极对接，进而所述瞬态电压抑制器具有双路双向保护功能。

2.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于：所述氧化层通过对所述P型外延层的表面进行热氧化而形成，所述氧化层的材料包括二氧化硅，所述介质层的材料包括氮化硅或氧化硅。

3.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于：干法刻蚀所述介质侧墙形成第一开口、第二开口的同时还形成对应所述P型隔离阱的第三开口；所述制作方法还包括以下步骤：在所述氧化层上形成正面金属层，使用第二光刻胶作为掩膜，干法刻蚀所述正面金属层形成第一电极及第二电极，所述第一电极与所述第二电极为所述瞬态电压抑制器的用于与外部器件电连接的外接电极，所述第一电极分别通过所述第一开口及所述第三开口与所述第一P型掺杂区域及所述P型隔离阱电连接，所述第二电极通过所述第二开口与所述第二P型掺杂区域电连接，去除所述第二光刻胶。

4.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于：所述制作方法还包括以下步骤：在所述P型衬底远离所述P型外延层的表面形成背面金属层。

5.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于：所述多个第二注入窗口中，位于中间的第二注入窗口的宽度小于位于两端的第二注入窗口。