1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于：所述瞬态电压抑制器包括P型衬底与形成于所述P型衬底上的N型外延层，所述N型外延层包括间隔设置的第一部分与第二部分，所述瞬态电压抑制器还包括形成于所述第一部分表面的第一P型掺杂区域、形成于所述第二部分表面的第二P型掺杂区域、及形成于所述N型外延层、所述第一P型掺杂区域及第二P型掺杂区域上的P型外延层，所述P型衬底与所述第一部分构成第一二极管，所述P型衬底与所述第二部分构成第二二极管，所述第一部分还与所述第一P型掺杂区域构成与所述第一二极管对接的第三二极管，所述第二部分还与所述第二P型掺杂区域构成与所述第二二极管对接的第四二极管，所述第一二极管的负极与所述第二二极管的负极相连，所述第三二极管的负极与所述第四二极管的负极相连。

2.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于：所述瞬态电压抑制器还包括设置于所述P型外延层上的氧化层及设置于所述氧化层上的介质材料，所述氧化层与所述介质材料还包括对应所述第一P型掺杂区域的第一通孔与对应所述第二P型掺杂区域的第二通孔。

3.如权利要求2所述的瞬态电压抑制器，其特征在于：所述瞬态电压抑制器还包括贯穿所述氧化层的沟槽蚀刻窗口及贯穿所述P型外延层及N型外延层的沟槽，所述沟槽将所述N型外延层划分为所述第一部分与所述第二部分，所述沟槽也将所述P型外延层划分为两个部分，所述介质材料还填充至所述沟槽及所述沟槽蚀刻窗口。

4.如权利要求2所述的瞬态电压抑制器，其特征在于：所述沟槽及所述介质材料还延伸至所述P型衬底中。

5.如权利要求2所述的瞬态电压抑制器，其特征在于：所述瞬态电压抑制器还包括第一金属层与第二金属层，所述第一金属层设置于所述介质材料上并通过所述第一通孔电连接所述P型外延层以及通过所述第二通孔电连接所述P型外延层，所述第二金属层设置于所述P型衬底远离所述N型外延层的一侧，所述第一通孔与所述第二通孔均延伸至所述P型外延层中。

6.一种瞬态电压抑制器的制作方法，其包括如下步骤：

提供P型衬底，在所述P型衬底制作N型外延层，在所述N型外延层表面形成第一氧化层；

利用第一光刻胶作为掩膜，刻蚀所述第一氧化层形成第一注入窗口与第二注入窗口，所述第一注入窗口对应第一部分，所述第二注入窗口对应第二部分，去除第一光刻胶，通过所述第一注入窗口与所述第二注入窗口进行P型离子注入从而在所述N型外延层表面形成第一P型掺杂区域以及第二P型掺杂区域，去除所述第一氧化层；

在所述N型外延层、所述第一P型掺杂区域、第二P型掺杂区域上形成P型外延层；

在所述P型外延层上形成第二氧化层；

利用第二光刻胶作为掩膜，刻蚀所述第二氧化层形成沟槽蚀刻窗口，去除第二光刻胶；

通过所述沟槽蚀刻窗口对所述P型外延层及所述N型外延层进行沟槽蚀刻，所述N型外延层被沟槽分成间隔设置的第一部分与第二部分；

其中，所述P型衬底与所述第一部分构成第一二极管，所述P型衬底与所述第二部分构成第二二极管，所述第一部分还与所述第一P型掺杂区域构成与所述第一二极管对接的第三二极管，所述第二部分还与所述第二P型掺杂区域构成与所述第二二极管对接的第四二极管，所述第一二极管的负极与所述第二二极管的负极相连，所述第三二极管的负极与所述第四二极管的负极相连。

7.如权利要求6所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于：所述方法还包括以下步骤：在所述沟槽蚀刻窗口中、所述沟槽中及所述第二氧化层上形成介质材料。

8.如权利要求7所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于：所述介质材料还延伸至所述P型衬底中。

9.如权利要求7所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于：所述方法还包括以下步骤；

形成贯穿所述第二氧化层及所述介质材料且对应所述第一P型掺杂区域的第一通孔；

形成贯穿所述第二氧化层及所述介质材料且对应所述第二P型掺杂区域的第二通孔；

形成设置于所述介质材料上并通过所述第一通孔连接所述P型外延层及通过所述第二通孔连接所述P型外延层的第一金属层；及形成设置于所述P型衬底远离所述N型外延层的表面的第二金属层。

10.如权利要求9所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于：所述第一通孔与所述第二通孔均延伸至所述P型外延层中。