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专利号: 2017105710566
申请人: 陕西科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种氢氧化氧钒包覆的二硫化钒纳米片的制备方法,其特征在于,按照1:2.5~1:

3.5的钒硫摩尔比,将偏钒酸钠和硫代乙酰胺同时溶解于去离子水中,搅拌至半澄清状态;

然后进行水热反应,水热反应在转动条件下进行,以保证氢氧化氧钒在二硫化钒表面的均匀生长;

在发生水热反应之前,用氨水将反应pH调节到10.3~10.5,调节pH的过程为逐滴调节,即加入一滴氨水后搅拌至溶液pH不变化,然后加入下一滴氨水,直至溶液最后的pH值达到

10.3~10.5,调节pH的过程中不断地进行磁力搅拌;

所述水热反应的填充比为55~65%,水热反应的具体过程为:将已配制好的混合溶液倒入反应内衬中,继而将密封后内衬装于外釜中固定后置于均相反应仪中,然后在5~15r/min、155~165℃的条件下,反应23~25h。

2.根据权利要求1所述的一种氢氧化氧钒包覆的二硫化钒纳米片的制备方法,其特征在于,将水热反应后冷却的产物取出,进行洗涤、干燥;所述洗涤是将水热反应后冷却的产物取出后交替进行水洗和醇洗;所述干燥温度为55~65℃,时间为10~15h。

3.一种基于权利要求1所述方法制备的一种氢氧化氧钒包覆的二硫化钒纳米片,其特征在于,所得产物为晶体VOOH包覆的VS2纳米片。

4.根据权利要求3所述的一种氢氧化氧钒包覆的二硫化钒纳米片,其特征在于:在水热反应前调节溶液pH为10.3~10.5后,所得产物为非晶VOOH包覆的VS2纳米片。

5.根据权利要求3或4所述的一种氢氧化氧钒包覆的二硫化钒纳米片,其特征在于:所述纳米片呈自组装微米花状,且纳米片的厚度为30~50nm。

6.一种根据权利要求1所述的方法制备的氢氧化氧钒包覆的二硫化钒纳米片的应用,其特征在于,该纳米片应用于钠离子电池的负极材料,该钠离子电池负极材料,在100,200,

500,1000,2000,5000mAg-1的电流密度下,表现出384,364,316,224,140,113mAhg-1的比容量;在200mAg-1的电流密度下,循环150圈后保持330mAhg-1的比容量,容量保持率为94%。