1.一种制备透明Bi2Se3薄膜的方法，包括以下步骤:

a、溅射沉积：选取石英(SiO2)基片或蓝宝石(Al2O3)基片作为磁控溅射的衬底，选取纯度为99.999％的Bi2Se3材料作为磁控溅射的靶材，在基片上溅射沉积一层Bi2Se3薄膜；

b、后退火处理：将a步沉积有Bi2Se3薄膜的基片和粒径为0.6mm-1.2mm的硒粒球一起封入气压小于1×10-2Pa的真空石英管中，然后将真空石英管置于管式炉中，在氩气保护气氛下进行后退火处理，即得透明Bi2Se3薄膜；

所述的后退火处理的具体操作是：将管式炉以2℃/min的升温速度升至300℃，保温2-

5h，再将真空石英管推入冷水中淬火。

2.根据权利要求1所述的一种制备透明Bi2Se3薄膜的方法，其特征在于：所述步骤a的溅射沉积的工艺条件为：靶材到基片的距离为5-7cm，溅射前使真空室的气压小于2×10-4Pa，再通入纯度为99.995％的氩气作为工作气体；溅射时的气压为0.3-0.5Pa、衬底温度为300-

400℃，溅射功率为50-70W、溅射时间为1-10秒。

3.根据权利要求1所述的一种制备透明Bi2Se3薄膜的方法，其特征在于：所述步骤c中硒粒球的质量与基片上沉积的Bi2Se3的质量之比0.1-0.2：1。