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专利号: 2017105975139
申请人: 陕西师范大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种高击穿场强和储能密度二氧化硅掺杂钛酸铜镉巨介电陶瓷材料,其特征在于:

该陶瓷材料由CdCu3Ti4O12-x wt%SiO2表示的材料组成,其中x的取值为1.0~4.0。

2.一种权利要求1所述的二氧化硅掺杂钛酸铜镉巨介电陶瓷材料的制备方法,其特征在于它由下述步骤组成:(1)按照CdCu3Ti4O12的化学计量比,将Cd(NO3)2·4H2O、Cu(NO3)2·3H2O加入到无水乙醇与去离子水的混合溶剂中配制成溶液A,将Ti(C4H9O)4加入到无水乙醇中配制成溶液B;将溶液A和溶液B混合,并加入冰醋酸,所得混合液中钛酸丁酯的浓度为0.3~0.7mol/L、冰醋酸的体积分数为2.5%~10%、去离子水的体积分数为5%~15%,在30~75℃下加热并搅拌均匀,得到溶胶,继续搅拌直至溶胶变为凝胶,将凝胶陈化后干燥,得到干凝胶;将干凝胶研磨后,在600~700℃下煅烧8~10小时,得到CdCu3Ti4O12陶瓷粉体;

(2)向CdCu3Ti4O12陶瓷粉体中加入其质量1.0%~4.0%的二氧化硅粉,经球磨、烘干、造粒、压片、排胶后,在960~1000℃烧结10~15小时,得到二氧化硅掺杂钛酸铜镉巨介电陶瓷材料。

3.根据权利要求2所述的二氧化硅掺杂钛酸铜镉巨介电陶瓷材料的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所得混合液中钛酸丁酯的浓度为0.5mol/L、冰醋酸的体积分数为5%、去离子水的体积分数为10%。

4.根据权利要求2所述的二氧化硅掺杂钛酸铜镉巨介电陶瓷材料的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,在40~50℃下加热并搅拌均匀,得到溶胶。

5.根据权利要求2所述的二氧化硅掺杂钛酸铜镉巨介电陶瓷材料的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,将干凝胶研磨后,在650℃下煅烧10小时。

6.根据权利要求2所述的二氧化硅掺杂钛酸铜镉巨介电陶瓷材料的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,在980℃下烧结15小时。