1.一种实用化射频MEMS开关的制备方法，所述制备方法用于制备射频MEMS开关，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：(1)首先将硅片使用丙酮清洗，再使用异丙醇浸泡，并超声清洗5-10分钟；

(2)在所述硅片上PECVD淀积氮化硅，制作下凸点，之后溅射氮化钽层制作隔离电阻，再溅射铝层制作下拉电极、引线、及pad电极；

硅片上淀积一层氮化硅保护层后，溅射钛钨-金，形成电镀金共面波导的粘附层和种子层；

(3)经过步骤(2)处理的硅片上，电镀金共面波导，并通过制作牺牲层、及释放牺牲层操作，电镀形成下电极，再进行牺牲层释放操作；

(4)硅片进行光刻操作后，送入磁控溅射台，溅射一层平整的金膜层；

(5)通过制作牺牲层、及释放牺牲层操作，电镀形成上电极，然后进行退火处理，获得射频MEMS开关组件；

(6)通过匀胶、光刻、刻蚀，在另一个硅片上制作封装帽，并在封装帽的边缘镀锡金属层；

(7)在经过步骤(5)的硅片的开关组件周侧环绕淀积氮化硅层，并在氮化硅层上电镀金金属层；

(8)将步骤(6)的封装帽与步骤(7)开关组件进行键合操作，封装开关组件，并划片，完成射频MEMS开关的制作；

在步骤(2)中，电镀金，形成金共面波导；

通过旋涂聚酰亚胺、光刻、曝光形成牺牲层、及通孔；

在步骤(4)中，在下电极表面溅射厚度为45-60nm的金膜层；

在步骤(2)中，先溅射一层氮化钽，然后依次进行匀胶、光刻及RIE刻蚀、去胶去除多余的氮化钽金属膜层操作；

再溅射铝层，进行匀胶、光刻及湿法刻蚀、去胶去除多余的铝金属膜层，制下拉电极、铝制引线、及铝制pad电极；

在步骤(3)、(5)中，利用O2Plasma对牺牲层进行干法释放，释放时间需要至少120分钟。

2.根据权利要求1所述一种实用化射频MEMS开关的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，通过匀胶、光刻、刻蚀来制作下凸点。

3.根据权利要求1所述一种实用化射频MEMS开关的制备方法，其特征在于，在步骤(3)、(5)中，所述下电极、上电极通过锚点与共面波导固定。

4.根据权利要求1所述一种实用化射频MEMS开关的制备方法，其特征在于，在步骤(7)中，在开关组件边缘淀积一层氮化硅环，在所述氮化硅环上表面电镀金金属层。

5.根据权利要求1所述一种实用化射频MEMS开关的制备方法，其特征在于，在步骤(7)中，金金属层与锡金属层的键合操作在280℃的温度下进行键合。