1.一种用于射频MEMS开关的封装方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

1)制作下金属层：在衬底上围绕所述射频MEMS开关设置一层中空方形氮化硅隔离层，在氮化硅隔离层的上方设置第一金属层；

2)制作封装帽：所述封装帽为一具有内凹腔结构的立方体结构，在所述封装帽的凹腔边缘处设置第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层形状结构大小一致，所述封装帽本体的内表面粘附有金薄膜；

所述金薄膜在所述封装帽本体相对的侧壁上开设缺口，所述缺口用于将所述射频MEMS开关的信号线传递至所述封装帽外；

在制作封装帽时，需要进行双面光刻；

3)键合：将所述封装帽所在的晶圆放置于所述衬底所在的晶圆上，两个晶圆通过对准标记相互对准，再升高加工温度，融化第一金属层及第二金属层，形成合金键合层；

4)划片：根据双面光刻形成的图形划片，将晶圆切割制成单颗组件。

2.根据权利要求1所述的一种用于射频MEMS开关的封装方法，其特征在于，所述金薄膜采用金、锡、或铜材料。

3.根据权利要求1所述的一种用于射频MEMS开关的封装方法，其特征在于，在所述封装帽本体内壁上溅射一层所述金薄膜。

4.根据权利要求1所述的一种用于射频MEMS开关的封装方法，其特征在于，所述封装帽本体采用材料包括玻璃、多晶硅、或高阻硅。

5.根据权利要求1所述的一种用于射频MEMS开关的封装方法，其特征在于，所述缺口为一矩形缺口，所述金薄膜在所述封装帽本体内侧壁的位置处开设两个矩形缺口，两个所述矩形缺口对称分布设置在所述封装帽本体的侧壁上。

6.根据权利要求1所述的一种用于射频MEMS开关的封装方法，其特征在于，所述第一金属层厚度为3μm；所述第二金属层厚度为2μm。

7.根据权利要求1所述的一种用于射频MEMS开关的封装方法，其特征在于，所述步骤3)为金属键合，键合温度为250-300℃。

8.根据权利要求1所述的一种用于射频MEMS开关的封装方法，其特征在于，所述封装方法为晶圆级封装。