1.一种Al掺杂CuS/石墨烯复合物薄膜，其特征在于，是CuS、rGO、Al3+共沉积形成的CuS/rGO复合物薄膜，其中CuS为晶体粒，rGO为还原态石墨烯，Al3+以掺杂形式加入，以质量比计rGO/CuS为0.1～9％，以摩尔比计S/Cu＜1，Al掺杂量为Cu的0.1～6.55％。

2.如权利要求1所述的Al掺杂CuS/石墨烯复合物薄膜，其特征在于，所述的Al掺杂含量从0.1％增至2％时，光带隙增大；从2％增至4％时光带隙又变窄。

3.如权利要求1所述的Al掺杂CuS/石墨烯复合物薄膜，其特征在于，所述的Al掺杂含量在0.1～4％、rGO含量在0.1～9％均能够增大光导电率。

4.如权利要求1所述的Al掺杂CuS/石墨烯复合物薄膜，其特征在于，Al掺杂含量在0.1～4％、rGO含量在0.1～9％均能够增大导电率。

5.一种Al掺杂CuS/石墨烯复合物薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下操作：

1)准备含Cu前驱体溶液a：其中含有掺杂的Al3+，以摩尔比计Al3+掺杂量为Cu2+的2～

4％，并含有石墨烯还原剂和铜离子摩尔量1～2倍的柠檬酸；在混合前加入石墨烯溶液，以质量比计rGO/CuS为2～8％；

准备含S前驱体溶液b：硫代乙酰胺水溶液，以摩尔比计S/Cu＝1～1.1；

2)薄膜沉积：将准备好的玻璃基片垂直置于反应容器内，向反应容器内加入前驱体溶液a、前驱体溶液b混合反应，待玻璃基片上沉积生成沉积薄膜后取出玻璃基片并淋洗，完成一次沉积；在玻璃基片上反复沉积多次；

3)薄膜晶化 ：沉积的薄膜在80～100℃干燥1～2h；

或用25～40W紫外灯照射2～3h。

6.如权利要求5所述的Al掺杂CuS/石墨烯复合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述含Cu前驱体溶液a的准备为：乙酸铜溶于水来提供Cu2+，硝酸铝溶于水来提供Al3+，同时添加盐酸作为石墨烯还原剂和铜离子摩尔量1-2倍的柠檬酸；

在制备复合物薄膜前，再加入GO水溶液，rGO/CuS质量比2～8％。

7.如权利要求6所述的Al掺杂CuS/石墨烯复合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述含Cu前驱体溶液a的准备为：Cu(CH3OO)2·H2O溶于去离子水，浓度0.02mol/l，Al3+掺杂量为Cu2+的2-4％，即每100ml溶液加0.015～0.030g的Al(NO3)39H2O，同时每100ml加浓HCl0.5ml，并加铜离子摩尔量1-2倍的C6H8O7·H2O；

每100ml再加入2mg/ml的GO水溶液3.8ml，rGO/CuS质量比5％；

所述的含S前驱体溶液b的准备为：制备浓度0.02mol/l的硫代乙酰胺水溶液。

8.如权利要求6所述的Al掺杂CuS/石墨烯复合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述的薄膜沉积为：将玻璃基片分别用洗涤剂和乙醇超声洗涤，然后垂直置于反应容器，等体积的前驱体溶液a和前驱体溶液b迅速混合；20min后取出基片，用去离子水淋洗完成一次沉积；

反复沉积5～10次，沉积过程在室温下进行。