1.一种纯铜表面激光原位自生陶瓷增强熔覆层的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：A：制备熔覆粉末，所述熔覆粉末中各组份的量按重量百分比为：2.03～6.09％Al粉、

6.94～20.82％ZrO2粉、1.73～5.19％Ni包B4C粉、9.30～27.90％Ni粉、余量为Cu粉；

B：待熔覆的纯铜基体的表面预处理；

C：采用同步送粉方式，利用激光熔覆装置，使熔覆粉末在纯铜基体的表面迅速熔凝，形成陶瓷增强熔覆层；

其中步骤A和步骤B的顺序可调换。

2.根据权利要求1所述的一种纯铜表面激光原位自生陶瓷增强熔覆层的制备方法，其特征在于，所述Al粉、ZrO2粉和Ni包B4C粉的摩尔比为4：3：1。

3.根据权利要求1所述的一种纯铜表面激光原位自生陶瓷增强熔覆层的制备方法，其特征在于，所述熔覆粉末的具体制备方法是，将各原料粉末按照所述百分比充分均匀混合，然后放入烘干箱中，在120℃下烘干1h，得到熔覆粉末。

4.根据权利要求3所述的一种纯铜表面激光原位自生陶瓷增强熔覆层的制备方法，其特征在于，所述原料粉末充分均匀混合的具体方法是，利用V型混料机，搅拌转速为15r/min，混合时间为2h。

5.根据权利要求1所述的一种纯铜表面激光原位自生陶瓷增强熔覆层的制备方法，其特征在于，所述Al粉的粒度为38～75μm，纯度为99.5％；所述ZrO2粉的粒度为25～48μm，纯度为99.9％；所述Ni包B4C的粒度为25～48μm，B4C含量为60wt.％；所述Ni粉的粒度为48～

106μm，纯度为99.9％；所述Cu粉的粒度为53～75μm，纯度为99.9％。

6.根据权利要求1所述的一种纯铜表面激光原位自生陶瓷增强熔覆层的制备方法，其特征在于，所述步骤B包括以下步骤：B1：使用砂纸打磨待熔覆的纯铜基体，以去除表面污渍、氧化物；

B2：使用无水乙醇擦拭待熔覆的纯铜基体的表面；

B3：在纯铜基体的表面涂刷一层碳素墨水，放入干燥箱中，在120℃下干燥10min。

7.根据权利要求1所述的一种纯铜表面激光原位自生陶瓷增强熔覆层的制备方法，其特征在于，步骤C中的所述激光熔覆装置包括激光器、可移动装置和旁轴送粉器，所述激光器为1.064μm的半导体光纤激光器，激光功率为1800～2600W，搭接率为30～50％；所述可移动装置用于固定纯铜基体，且移动速度为1～3mm/s；所述旁轴送粉器将熔覆粉末送到激光斑点处，载粉气体为氩气，气流量为2～6L/min，送粉量为1～3g/min。

8.根据权利要求7所述的一种纯铜表面激光原位自生陶瓷增强熔覆层的制备方法，其特征在于，所述纯铜基体在进行激光熔覆前还需要进行预热处理，使待熔覆的纯铜基体表面温度达到600℃。

9.根据权利要求8所述的一种纯铜表面激光原位自生陶瓷增强熔覆层的制备方法，其特征在于，所述预热处理的具体方法是，根据纯铜基体的尺寸大小，采用1400～1600W的低功率激光对纯铜基体表面照射5～6min。