1.一种用于可调波长转换的光纤结构，其特征在于：包括位于最外面的包层，一第一纤芯和一第二纤芯位于所述包层内，所述包层内侧与所述第一纤芯和所述第二纤芯之间填充有二氧化硅，所述第一纤芯由内至外依次包括内层纤芯、中层纤芯和外层纤芯，所述第二纤芯由内至外依次包括里层纤芯和表层纤芯，所述内层纤芯、中层纤芯和外层纤芯以及所述里层纤芯和所述表层纤芯其中均填充有掺杂的二氧化硅，所述内层纤芯、外层纤芯和中层纤芯中的二氧化硅掺杂的体积百分比浓度依次减小，所述里层纤芯中的二氧化硅掺杂的体积百分比浓度小于所述表层纤芯中的二氧化硅掺杂的体积百分比浓度，所述第一纤芯中通入的是泵浦光，所述第二纤芯中通入的是高频脉冲光。

2.如权利要求1所述的用于可调波长转换的光纤结构，其特征在于：大部分所述高频脉冲光在所述表层纤芯中传播，少量所述高频脉冲光在所述里层纤芯中传播，部分所述高频脉冲光溢出所述表层纤芯在所述包层中传播；大部分泵浦光在所述外层纤芯中传播，少量泵浦光在所述中层纤芯中传播，部分泵浦光溢出所述外层纤芯在所述包层中传播；由泵浦光和所述高频脉冲光在三次谐波过程中产生的大部分三次谐波光在所述内层纤芯中传播，小部分三次谐波光在所述中层纤芯中传播。

3.如权利要求2所述的用于可调波长转换的光纤结构，其特征在于：当ψ＝Δβ+(2γ31‑3γ11)P1+(γ33‑6γ13)P3+(2γ30‑6γ10)P0＝0时，泵浦光的基模和三次谐波光的基模之间相位匹配，其中P1是泵浦光的功率，P0是高频脉冲光的功率，P3是三次谐波光的功率，Δβ为线性相位失配，γ31是泵浦光和三次谐波光的交叉相位调制强度，γ11是泵浦光的自相位调制强度，γ33是三次谐波光的自相位调制强度，γ13是三次谐波光和泵浦光的交叉相位调制强度，γ30是高频脉冲光和三次谐波光的交叉相位调制强度，γ10是高频脉冲光和泵浦光的交叉相位调制强度。

4.如权利要求3所述的用于可调波长转换的光纤结构，其特征在于：线性相位失配为：

其中Re表示实部，λ1和λ3分别表示泵浦光的波长和

三次谐波光的波长，neff1和neff3分别表示泵浦光和三次谐波光的有效折射率。

5.如权利要求1所述的用于可调波长转换的光纤结构，其特征在于：所述掺杂的二氧化硅中掺入的杂质为二氧化锗。

6.如权利要求1所述的用于可调波长转换的光纤结构，其特征在于：所述内层纤芯中的二氧化硅掺杂的体积百分比浓度等于所述表层纤芯中的二氧化硅掺杂的体积百分比浓度，所述中层纤芯中的二氧化硅掺杂的体积百分比浓度等于所述里层纤芯中的二氧化硅掺杂的体积百分比浓度。

7.如权利要求1所述的用于可调波长转换的光纤结构，其特征在于：所述内层纤芯、外层纤芯和中层纤芯中的二氧化硅掺杂的体积百分比浓度依次为40％、20％、10％；所述里层纤芯和所述表层纤芯中的二氧化硅掺杂的体积百分比浓度分别为10％和40％。

8.如权利要求1所述的用于可调波长转换的光纤结构，其特征在于：所述包层的半径为

62.5μm，所述外层纤芯的半径为2.5‑6μm，所述中层纤芯的半径为1‑2.5μm，所述内层纤芯的半径为0.3‑1μm，所述表层纤芯的半径为2.5‑6μm，所述里层纤芯的半径为0.3‑1μm，所述第一纤芯和所述第二纤芯之间的圆心距为5.5‑15μm。

9.一种用于可调波长转换的光纤结构，其特征在于：包括位于最外面的包层，一第一纤芯和一第二纤芯位于所述包层内，所述包层内侧与所述第一纤芯和所述第二纤芯之间具有填充物，所述第一纤芯由内至外依次包括内层纤芯、中层纤芯和外层纤芯，所述第二纤芯由内至外依次包括里层纤芯和表层纤芯，所述内层纤芯、外层纤芯、中层纤芯和所述包层中的填充物的折射率依次减小，所述表层纤芯、所述里层纤芯和所述包层中的填充物的折射率依次减小，所述第一纤芯中通入的是泵浦光，所述第二纤芯中通入的是高频脉冲光。