1.一种石墨烯‑半导体双脊型混合表面等离子波导结构，其特征是，包括自下而上顺序叠接的二氧化硅基底、二氧化硅缓冲层和高折射率半导体层，所述二氧化硅缓冲层中自下而上设有顺序叠接的脊型金属纳米层、矩形耦合层和倒脊型纳米层，脊型金属纳米层的底部与二氧化硅缓冲层的上表面叠接，倒脊型纳米层与高折射率半导体层的下表面叠接，所述脊型金属纳米层为Ag金属层；所述矩形耦合层为石墨烯材料层；所述高折射率半导体层和倒脊型纳米层构成InGaAsP层。