1.一种单相五电平Boost型功率因数校正变换器，其特征在于：包括二极管单相全桥整流电路(4)、Boost升压电感L、电力电子开关网络(1)、串联电容网络(2)和并联电阻网络(3)；所述Boost升压电感L连接于所述二极管单相全桥整流电路(4)直流正极与所述电力电子开关网络(1)第一端之间，所述电力电子开关网络(1)第二端连接于所述二极管单相全桥整流电路(4)直流负极。

2.根据权利要求1所述单相五电平Boost型功率因数校正变换器，其特征在于：所述电力电子开关网络(1)包括N沟道MOSFET开关管S1、N沟道MOSFET开关管S2、N沟道MOSFET开关管S3、二极管D5、二极管D6及二极管D7；其中，所述N沟道MOSFET开关管S1的漏极连接到所述Boost升压电感L一端，所述N沟道MOSFET开关管S1的源极连接到所述N沟道MOSFET开关管S2的漏极，所述N沟道MOSFET开关管S2的源极连接到所述N沟道MOSFET开关管S3的漏极，所述N沟道MOSFET开关管S3的源极连接到所述二极管单相全桥整流电路(4)直流负极；所述二极管D5的阳极连接到所述N沟道MOSFET开关管S1的漏极，所述二极管D6的阳极连接到所述N沟道MOSFET开关管S2的漏极，所述二极管D7的阴极连接到所述N沟道MOSFET开关管S3的源极。

3.根据权利要求2所述单相五电平Boost型功率因数校正变换器，其特征在于：所述串联电容网络(2)包括电解电容C1、电解电容C2及电解电容C3，且电解电容C1电容量＝电解电容C3电容量＝2倍的电解电容C2电容量；其中，所述电解电容C1的正极连接到所述二极管D5的阴极，所述电解电容C1的负极连接到所述电解电容C2的正极和所述二极管D6的阴极，所述电解电容C2的负极连接到所述电解电容C3的正极和所述N沟道MOSFET开关管S2的源极，所述电解电容C3的负极和所述二极管D7的阳极相连。

4.根据权利要求3所述单相五电平Boost型功率因数校正变换器，其特征在于：所述并联电阻网络(3)包括电阻R1、电阻R2及电阻R3，且电阻R2电阻值＝2倍的电阻R1电阻值＝2倍的电阻R3电阻值；其中，所述电阻R1的两端并联到所述电解电容C1的两端，所述电阻R2的两端并联到所述电解电容C2的两端，所述电阻R3的两端并联到所述电解电容C3的两端。