1.基于IGBT低频噪声检测的低噪声偏置电路，精密电源电路、一级抑噪电路、稳压电路和二级抑噪电路；其特征是；

所述精密电源电路包括电容C1、电容C2、电容C3、稳压二极管U1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和三极管Q1；

所述一级抑噪电路包括滤波电容C4、滤波电容C5、耦合电解电容C6、电容C7、电阻R5、电阻R6、集电极电阻R7、发射极偏置电阻R8和栅极偏置电阻R9；

稳压电路包括背对背连接的稳压二极管D1和稳压二极管D2；

二级抑噪电路包括二极管D3、二极管D4和二极管D5；

所述电容C1、电容C2和电容C3并联连接后，一端接地，另一端分别与电阻R2的一端以及三极管Q1的集电极连接，所述电阻R2的另一端分别与三极管Q1的基极和稳压二极管U1的阴极连接，所述三极管Q1的发射极分别与电阻R3的一端以及一级抑噪电路中的滤波电容C4和滤波电容C5连接，所述电阻R3的另一端分别与电阻R4的一端和稳压二极管U1的参考端连接，所述稳压二极管U1的阳极、电阻R4的另一端接地；

所述滤波电容C4和滤波电容C5并联连接后一端接地，另一端分别与电阻R5的一端、电阻R6的一端以及集电极电阻R7的一端连接，所述电阻R5的另一端分别与栅极偏置电阻R9的一端，稳压电路中稳压二极管D1的阴极以及待测三极管Q2的基极连接；

所述集电极电阻R7的另一端分别与待测三极管Q2的集电极以及二级抑噪电路中的稳压二极管D3的阴极连接，栅极偏置电阻R9的另一端与耦合电解电容C6的一端连接，电阻R6的另一端、耦合电解电容C6的另一端接地；

稳压二极管D2的阴极端接地；

待测三极管Q2的发射极分别与发射极偏置电阻R8的一端、电容C7的一端连接，电阻R8的另一端和电容C7的另一端接地；

所述二极管D3的阴极端与二极管D4的阳极端连接，二极管D4的阴极端与二极管D5的阳极端连接，二极管D5的阴极端接地。

2.根据权利要求1所述的基于IGBT低频噪声检测的低噪声偏置电路，其特征在于，还包括镍金屏蔽盒，所述低噪声偏置电路置于所述镍金屏蔽盒内。