1.一种低频低介电损耗的AgTa共掺二氧化钛基介电陶瓷材料，其特征在于：该陶瓷材料的通式为(Ag1/4Ta3/4)xTi1-xO2，其中x的取值为0.005～0.01；该陶瓷材料由下述方法制备得到：（1）按照(Ag1/4Ta3/4)xTi1-xO2的化学计量分别称取纯度为99.5%以上的原料Ag2O、Ta2O5和TiO2，充分混合球磨16～24小时，在80～100℃下干燥12～24小时，得到原料混合物；

（2）将原料混合物在1000～1200℃预烧2～4小时，得到预烧粉；

（3）将预烧粉经二次球磨、造粒、压片、排胶后，在1400～1450℃烧结5～10小时， 得到低频低介电损耗的AgTa共掺二氧化钛基介电陶瓷材料。

2.根据权利要求1所述的低频低介电损耗的AgTa共掺二氧化钛基介电陶瓷材料，其特征在于：在步骤（2）中，将原料混合物在1100℃预烧3小时。

3.根据权利要求1所述的低频低介电损耗的AgTa共掺二氧化钛基介电陶瓷材料，其特征在于：在步骤（3）中，将预烧粉经二次球磨、造粒、压片、排胶后，在1450℃烧结10小时。