1.一种氧化镓相结纳米柱阵列，其特征在于，包括

衬底，

位于衬底上的Ga2O3籽晶层，

位于Ga2O3籽晶层背离衬底层方向的有序的Ga2O3相结纳米柱阵列，所述Ga2O3纳米柱阵列由α-Ga2O3和β-Ga2O3构成相异质结构成。

2.根据权利要求1所述的一种氧化镓相结纳米柱阵列，其特征在于，所述Ga2O3相结纳米柱阵列的Ga2O3相结纳米柱是由α-Ga2O3纳米柱为内核，β-Ga2O3为外壳包裹于α-Ga2O3纳米柱构成；Ga2O3相结纳米柱的直径为40～800nm，Ga2O3相结纳米柱的高度为0.2～20μm。

3.根据权利要求1或2所述的一种氧化镓相结纳米柱阵列，其特征在于，所述衬底为FTO导电玻璃。

4.一种氧化镓相结纳米柱阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将Ga2O3籽晶层溶液旋涂于衬底表面，烘干，形成覆盖Ga2O3籽晶层的衬底；

步骤二，将步骤一所得的覆盖Ga2O3籽晶层的衬底置于Ga(NO3)3生长溶液中，水热反应，形成GaOOH纳米柱阵列；

步骤三，将步骤二所得的GaOOH纳米柱阵列于400℃煅烧，得到α-Ga2O3纳米柱阵列；

步骤四，将步骤三所得的α-Ga2O3纳米柱阵列高温煅烧，形成α/β-Ga2O3相结纳米柱阵列。

5.根据权利要求4所述的一种氧化镓相结纳米柱阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤四的高温煅烧为700℃下煅烧20-60min，或在780℃-820℃，高温煅烧时间为10min。

6.根据权利要求4所述的一种氧化镓相结纳米柱阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤三的400℃煅烧的时间为240min。

7.根据权利要求4所述的一种氧化镓相结纳米柱阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤一的Ga2O3籽晶层溶液的浓度为0.05～0.3M；旋涂的转速为3000r/min，旋涂时间为15秒；

烘干条件为300℃保温30min，再500℃保温60min。

8.根据权利要求4或5或6或7所述的一种氧化镓相结纳米柱阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤二的Ga(NO3)3生长溶液的浓度为0.15～0.3g/30mL；水热的温度为150℃，水热的生长时间为2～24h。

9.根据权利要求4或5或6或7所述的一种氧化镓相结纳米柱阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤一的Ga2O3籽晶层溶液以乙醇胺、异丙醇镓和乙二醇甲醚为前驱体，在60℃水浴加热60min制得。

10.根据权利要求4或5或6或7所述的一种氧化镓相结纳米柱阵列的制备方法，其特征在于，所述衬底为FTO导电玻璃，所述FTO导电玻璃经过预处理，所述预处理分别用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗10min，然后在烘箱中干燥。