1.一种低频低介电损耗的AgNb共掺二氧化钛基介电陶瓷材料，其特征在于：该陶瓷材料的通式为(Ag1/4Nb3/4)xTi1-xO2，其中x的取值为0.005～0.01。

2.一种权利要求1所述的低频低介电损耗的AgNb共掺二氧化钛基介电陶瓷材料的制备方法，其特征在于它由下述步骤组成：(1)按照(Ag1/4Nb3/4)xTi1-xO2的化学计量分别称取纯度为99.5％以上的原料Ag2O、Nb2O5和TiO2，充分混合球磨16～24小时，在80～100℃下干燥12～24小时，得到原料混合物；

(2)将原料混合物在1000～1200℃预烧2～4小时，得到预烧粉；

(3)将预烧粉经二次球磨、造粒、压片、排胶后，在1400～1450℃烧结5～10小时，得到低频低介电损耗的AgNb共掺二氧化钛基介电陶瓷材料。

3.根据权利要求2所述的低频低介电损耗的AgNb共掺二氧化钛基介电陶瓷材料的制备方法，其特征在于：在步骤(2)中，将原料混合物在1100℃预烧3小时。

4.根据权利要求2所述的低频低介电损耗的AgNb共掺二氧化钛基介电陶瓷材料的制备方法，其特征在于：在步骤(3)中，将预烧粉经二次球磨、造粒、压片、排胶后，在1450℃烧结

10小时。