1.一种MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路，包括一阶带隙基准电路(1)，所述一阶带隙基准电路(1)中源极与栅极短接的PMOS管的漏极构成二极管的正向端，一阶带隙基准电路(1)中漏极与PMOS管的衬底构成二极管的反向端，其特征在于，还包括高温区域温度曲率补偿电路(2)、低温区域温度分段补偿电路(3)及启动电路(4)，其中，所述一阶带隙基准电路(1)的信号输出端分别电连接高温区域温度曲率补偿电路(2)的信号输入端、低温区域温度分段补偿电路(3)的信号输入端以及启动电路(4)的信号输入端，所述启动电路(4)的信号输出端电连接所述一阶带隙基准电路(1)的启动信号输入端，所述一阶带隙基准电路(1)产生低温度系数的带隙参考电压，所述高温区域温度曲率补偿电路(2)与所述低温区域温度分段补偿电路(3)对所述一阶带隙基准电路(1)所产生的带隙参考电压进行温度补偿，所述启动电路(4)为所述一阶带隙基准电路(1)提供启动信号；

所述一阶带隙基准电路(1)包括：PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、误差放大器A1以及误差放大器A2，在所述一阶带隙基准电路(1)中，PMOS管M3的源极分别与PMOS管M4的源极、PMOS管M5的源极、PMOS管M6的源极、PMOS管M7的源极以及外部电源VDD相连，PMOS管M3的漏极分别与误差放大器A1的正向输入端以及电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端分别与PMOS管M1的栅极、PMOS管M1的源极以及PMOS管M1的漏极相连，PMOS管M1的衬底分别与PMOS管M2的衬底以及外部地线GND相连，PMOS管M3的栅极分别与误差放大器A1的输出端、PMOS管M4的栅极、PMOS管M6的栅极、PMOS管M8的栅极、PMOS管M13的栅极以及NMOS管Ms4的漏极相连，PMOS管M4的漏极分别与误差放大器A1的反向输入端、误差放大器A2的反向输入端、PMOS管M2的栅极、PMOS管M2的漏极以及PMOS管M2的源极相连，PMOS管M5的漏极分别与误差放大器A2的正向输入端以及电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端与外部地线GND相连，PMOS管M5的栅极分别与误差放大器A2的输出端、PMOS管M7的栅极、PMOS管M12的栅极以及NMOS管Ms5的漏极相连，PMOS管M6的漏极分别与PMOS管M7的漏极、带隙基准输出端VREF、NMOS管Ms3的栅极以及电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端分别与PMOS管M11的漏极、PMOS管M15的漏极以及电阻R4的一端相连，电阻R4的另一端与外部地线GND相连。

2.根据权利要求1所述的MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路，其特征在于，所述一阶带隙基准电路(1)采用源极、漏极与栅极短接的PMOS管来组成二极管，将源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏-衬底电压产生的负温度系数电压VCTAT，与源极、漏极与栅极短接的两个PMOS管的漏-衬底电压之差产生的正温度系数电压VPTAT加权获得一阶带隙基准电压。

3.根据权利要求1所述的MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路，其特征在于，所述一阶带隙基准电路(1)中源极、漏极与栅极短接的PMOS管M1的漏极与衬底分别构成二极管的正向端与反向端，源极、漏极与栅极短接的PMOS管M2的漏极与衬底分别构成二极管的正向端与反向端，PMOS管M1与PMOS管M2具有相同的沟道长度，PMOS管M1的沟道宽度是PMOS管M2的N倍，PMOS管M3与PMOS管M4具有相同的沟道宽长比，PMOS管M6与PMOS管M3具有相同的沟道宽长，PMOS管M6的漏极电流在电阻R3与电阻R4上产生电压VPTAT为式中，R1、R3与R4分别为电阻R1、电阻R3与电阻R4的阻值，q是电子电

荷，k是玻尔兹曼常数，T是绝对温度；所有电阻采用相同材料，电压VPTAT具有正温度特性；

PMOS管M7与PMOS管M5具有相同的沟道宽长，PMOS管M7的漏极电流I7在电阻R3与电阻R4上产生电压VCTAT为 式中，R2为电阻R2的阻值，VDB2为PMOS管M2的漏-衬

底电压且具有负温度特性，电压VCTAT具有负温度特性。

4.根据权利要求2所述的MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路，其特征在于，所述高温区域温度曲率补偿电路(2)包括：PMOS管M8、PMOS管M10、PMOS管M11、NMOS管M9以及电阻R5，在所述高温区域温度曲率补偿电路(2)中，PMOS管M8的源极分别与PMOS管M10的源极、PMOS管M11的源极以及外部电源VDD相连，PMOS管M8的漏极分别与NMOS管M9的栅极以及电阻R5的一端相连，电阻R5的另一端分别与NMOS管M9的源极以及外部地线GND相连，PMOS管M10的漏极分别与PMOS管M10的栅极、PMOS管M11的栅极以及NMOS管M9的漏极相连。

5.根据权利要求4所述的MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路，其特征在于，所述高温区域温度曲率补偿电路(2)中PMOS管M8的沟道宽长比是PMOS管M3的β1倍，PMOS管M11的沟道宽长比是PMOS管M10的β2倍，使得M9在高温时工作于亚阈值区，PMOS管M11的漏极电流I11在电阻R4上产生的电压VNL1为R1、R4分别为电阻R1、电阻R4的阻值，式中，Cox是单位面积栅氧化层电容，q是电子电荷，k是玻尔兹曼常数，T是绝对温度，PMOS管M1的沟道宽度是PMOS管M2的N倍，μn是电子迁移率，n是斜坡因子，VTH是MOS管的阈值电压，(W/L)9是NMOS管M9的沟道宽长比，R5为电阻R5的阻值。

6.根据权利要求2所述的MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路，其特征在于，所述低温区域温度分段补偿电路(3)包括：PMOS管M12、PMOS管M13、PMOS管M14、PMOS管M15、NMOS管M16以及NMOS管M17，在所述低温区域温度分段补偿电路(3)中，PMOS管M12的源极分别与PMOS管M13的源极、PMOS管M14的源极、PMOS管M15的源极以及外部电源VDD相连，PMOS管M12的漏极分别与NMOS管M16的漏极、NMOS管M16的栅极以及NMOS管M17的栅极相连，NMOS管M16的源极分别与NMOS管M17的源极以及外部地线GND相连，PMOS管M13的漏极分别与PMOS管M14的漏极、PMOS管M14的栅极、PMOS管M15的栅极以及NMOS管M17的漏极相连。

7.根据权利要求6所述的MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路，其特征在于，所述低温区域温度分段补偿电路(3)中PMOS管M12的沟道宽长比是PMOS管M5的β3倍，PMOS管M13的沟道宽长比是PMOS管M3的β4倍，PMOS管M15的沟道宽长比是PMOS管M14的β5倍，NMOS管M16与NMOS管M17具有相同的沟道宽长比，PMOS管M15的漏极电流I15在电阻R4上产生的电压VNL2为 R2、R4分别为电阻R2、电阻R4的阻值，式中，Tr1为参考温度，且小于室温T0，VDB2为PMOS管M2的漏-衬底电压且具有负温度特性，q是电子电荷，k是玻尔兹曼常数，T是绝对温度，R1表示电阻R1的阻值，PMOS管M1的沟道宽度是PMOS管M2的N倍。

8.根据权利要求2所述的MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路，其特征在于，所述启动电路(4)包括：PMOS管Ms1、PMOS管Ms2、NMOS管Ms3、NMOS管Ms4以及NMOS管Ms5，在所述启动电路(4)中，PMOS管Ms1的源极与外部电源VDD相连，PMOS管Ms1的栅极分别与PMOS管Ms1的漏极以及PMOS管Ms2的源极相连，PMOS管Ms2的栅极分别与PMOS管Ms2的漏极、NMOS管Ms4的栅极、NMOS管Ms5的栅极以及NMOS管Ms3的漏极相连，NMOS管Ms3的源极分别与NMOS管Ms4的源极、NMOS管Ms5的源极以及外部地线GND相连。

9.根据权利要求2所述的MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路，其特征在于，所述输出电压VREF为VREF＝VCTAT+VPTAT+VNL1+VNL2，其中，VCTAT为具有负温度系数电压，VPTAT为具有正温度系数电压，VNL1为高温区具有温度曲率特性电压，VNL2为低温区具有温度分段特性电压。