1.一种制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法，其特征在于，所述方法为：以经过预处理的金属钨为阳极，钛片或铂片为阴极，在电解液中，于温度为5～40℃、电压为3～15V的条件下进行恒电位阳极氧化1～7h，之后取出金属钨，清洗、干燥后即在金属钨表面制得一层介孔三氧化钨薄膜；

所述电解液由离子液体、去离子水、有机溶剂混合配制而成；其中，离子液体的体积分数为0.6～1.6％、去离子水的体积分数为5～25％，余量为有机溶剂；

所述有机溶剂为乙二醇或丙三醇；

所述离子液体选自下列之一：1-乙基-3甲基咪唑四氟硼酸盐、1-丁基-3甲基咪唑四氟硼酸盐、1-己基-3甲基咪唑四氟硼酸盐。

2.如权利要求1所述的制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法，其特征在于，所述金属钨为厚度0.05～1mm的金属钨片。

3.如权利要求1所述的制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法，其特征在于，所述金属钨的预处理方法为：将金属钨分别在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗去除表面油脂，最后再用去离子水冲洗，烘干即完成预处理。

4.如权利要求1所述的制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法，其特征在于，所述阴极与阳极的电极间距为1～5cm。

5.如权利要求1所述的制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法，其特征在于，所述阳极氧化的温度为25℃。

6.如权利要求1所述的制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法，其特征在于，所述阳极氧化的电压为5～10V。

7.如权利要求1所述的制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法，其特征在于，所述阳极氧化的时间为3h。

8.如权利要求1所述的制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法，其特征在于，所述电解液中离子液体的体积分数为1％。

9.如权利要求1所述的制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法，其特征在于，所述电解液中去离子水的体积分数为15％。