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专利号: 2017110857077
申请人: 陕西科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种钠离子电池负极用片状Sb2Se3纳米晶的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)按(0.001g~0.005g):(0.2g~2g):(0.169g~1.0139g)的质量比取聚乙烯吡咯烷酮、酒石酸和酒石酸锑钾,将聚乙烯吡咯烷酮和酒石酸加入25~70ml的去离子水中,搅拌至其完全溶解得到透明溶液A1,然后将酒石酸锑钾加入溶液A1中持续搅拌得透明溶液A2;

2)按酒石酸锑钾与亚硒酸钠为1:(1~3)的摩尔比将亚硒酸钠加入到3~10mL的水合肼中搅拌得到酒红色溶液B;搅拌下将溶液B快速逐滴加入溶液A2中搅拌分散均匀后得到混合液C;

3)将混合液C转移至聚四氟乙烯内衬,放入均相反应仪,在100~150℃保温反应1~12h后,随炉冷却至室温,用去离子水和无水乙醇反复洗涤分离沉淀,冷冻干燥得到钠离子电池负极用片状Sb2Se3纳米晶。

2.根据权利要求1所述的钠离子电池负极用片状Sb2Se3纳米晶的制备方法,其特征在于:所述步骤1)中聚乙烯吡咯烷酮分子量为30000。

3.根据权利要求1所述的钠离子电池负极用片状Sb2Se3纳米晶的制备方法,其特征在于:所述步骤1)、步骤2)中搅拌采用磁力搅拌器,搅拌转速为500~800r/min。

4.根据权利要求1所述的钠离子电池负极用片状Sb2Se3纳米晶的制备方法,其特征在于:所述步骤2)中水合肼的质量百分数为50%。

5.根据权利要求1所述的钠离子电池负极用片状Sb2Se3纳米晶的制备方法,其特征在于:所述步骤3)的混合液C转移至聚四氟乙烯内衬的填充比为30%~80%。

6.根据权利要求1所述的钠离子电池负极用片状Sb2Se3纳米晶的制备方法,其特征在于:所述步骤3)冷冻干燥温度为-40℃,压力为60Pa。