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专利号: 2017110958928
申请人: 合肥师范学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 一般的物理或化学的方法或装置
更新日期:2024-04-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种制备多级结构Ag-ZnO薄膜的方法,其特征在于方法的步骤中含有:(a)制备Ag-ZnO薄膜;

(b)将步骤(a)制备得到的Ag-ZnO薄膜进行真空快速退火处理;

(c)退火结束后自然冷却至室温,得到Ag纳米颗粒修饰的多级结构ZnO薄膜,该Ag纳米颗粒修饰的多级结构ZnO薄膜为多级结构Ag-ZnO薄膜;

在步骤(b)中,退火过程中,真空度为10-5bar,以升温速度为10℃/s升温至退火温度后保温,保温时间为10min;在步骤(b)中,退火温度为200℃或300℃或400℃;

在步骤(a)中,制备Ag-ZnO薄膜的步骤中含有:

(a1)制备ZnO薄膜;

(a2)采用化学还原法在步骤(a1)制备的ZnO薄膜表面沉积Ag纳米颗粒。

2.根据权利要求1所述的制备多级结构Ag-ZnO薄膜的方法,其特征在于:在步骤(a1)中,制备ZnO薄膜的步骤中含有:(a11)配制硝酸锌溶液,作为电解液;

(a12)选用FTO导电玻璃作为ZnO薄膜生长的衬底,并采用三电极电化学系统,将FTO导电玻璃作为工作电极,将Ag/AgCl作为参比电极,将铂片作为对电极,并将工作电极、参比电极和对电极放入电解液,并确保工作电极的导电面与对电极正对,从而形成电解池,然后再将电解池放入水浴锅中,利用电化学工作站,并选用“电流-时间曲线”模式控制ZnO薄膜的生长条件,制备得到的ZnO薄膜用去离子水洗净,并烘干后待用。

3.根据权利要求2所述的制备多级结构Ag-ZnO薄膜的方法,其特征在于:在步骤(a12)中,烘干ZnO薄膜的温度在50℃~70℃之间。

4.根据权利要求2所述的制备多级结构Ag-ZnO薄膜的方法,其特征在于:步骤(a11)中,配制硝酸锌溶液的具体步骤如下:称取六水合硝酸锌,将其溶于去离子水中,形成溶液;将溶液在室温条件下磁力搅拌,得硝酸锌溶液,作为电化学沉积ZnO薄膜的电解液。

5.根据权利要求2所述的制备多级结构Ag-ZnO薄膜的方法,其特征在于:在步骤(a2)中,首先,将ZnO薄膜放入到硝酸银溶液中,浸泡一段时间后取出,再将ZnO薄膜放入到硼氢化钠溶液中,浸泡一段时间后,用去离子水清洗干净,室温自然晾干,以上步骤重复多次,从而得到Ag-ZnO薄膜。

6.根据权利要求2所述的制备多级结构Ag-ZnO薄膜的方法,其特征在于:在步骤(a12)中,在生长ZnO薄膜之前,采用丙酮、无水乙醇和去离子水依次对FTO导电玻璃进行超声清洗,将洗净的FTO导电玻璃在60℃空气氛围中烘干、备用。

7.一种多级结构Ag-ZnO薄膜,其特征在于:它为如权利要求1至6中任一项所述的方法制备得到的多级结构Ag-ZnO薄膜。