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专利号: 2017111077462
申请人: 青岛科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种高压直流电缆用半导电层电荷发射测试方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:来自电源端(1)的电压加载于第一电极(2)上,然后依次传递至与所述第一电极(2)相接触的半导电层(3)、与所述半导电层(3)相接触的试品(4)、与所述试品(4)相接触的第二电极(5),从而形成一个电路回路;

所述第一电极(2)内形成空心区(25);

所述半导电层(3)分为半导电层第一区(31)和与其相邻的半导电层第二区(32);所述半导电层第一区(31)与空心区(25)相对应,所述半导电层第二区(32)与第一电极(2)相接触;

所述空心区(25)内、半导电层第一区(31)上放置有压块(6);

所述试品(4)分为试品第一区(41)和与其相邻的试品第二区(42);所述试品第一区(41)与所述半导电层第一区(31)相接触,所述试品第二区(42)与所述半导电层第二区(32)相接触;

S2:持续给装置加载电压,直至达到测试规定的时间,断开电源;

S3:移走装置,保留试品(4);

S4:测量所述试品第一区(41)的电荷,以确定所述半导电层(3)是否对试品(4)发射电荷;如果所述试品第一区(41)具有电荷,则确定半导电层(3)对试品(4)发射了电荷;反之,则没有发射电荷。

2.根据权利要求1所述的高压直流电缆用半导电层电荷发射测试方法,其特征在于,所述压块(6)外表面设置有外罩(7),所述外罩(7)为绝缘材料。

3.根据权利要求1或2所述的高压直流电缆用半导电层电荷发射测试方法,其特征在于,所述S1中,所述半导电层(3)还包括半导电层第三区(33),所述半导电层第三区(33)环绕所述半导电层第二区(32);所述试品(4)还包括试品第三区(43),所述试品第三区(43)环绕所述试品第二区(42),且所述试品第三区(43)与所述半导电层第三区(33)相接触。

4.根据权利要求1或2所述的高压直流电缆用半导电层电荷发射测试方法,其特征在于,所述S4中,测量所述试品第一区(41)的中间部位是否有电荷;或者在S4进行测量前,还包括对试品(4)的切割步骤,将所述试品第一区(41)切割出来进行电荷测量。

5.一种高压直流电缆用半导电层电荷发射测试装置,其特征在于,包括,电源端(1)和与其相连的第一电极(2);

所述第一电极(2)内形成空心区(25),所述第一电极(2)的下表面(22)与半导电层(3)的上表面相接触;第一电极(2)的下表面(22)简称为电极下表面(22);

所述半导电层(3)的下表面与待测试品(4)的上表面相接触;

所述试品(4)放置在第二电极(5)上;

所述半导电层(3)分为半导电层第一区(31)和与其相邻的半导电层第二区(32);所述半导电层第一区(31)与空心区(25)相对应,所述半导电层第二区(32)与电极下表面(22)相接触;

所述空心区(25)内、半导电层第一区(31)上放置有压块(6);

所述试品(4)分为试品第一区(41)和与其相邻的试品第二区(42);所述试品第一区(41)与所述半导电层第一区(31)相接触,所述试品第二区(42)与所述半导电层第二区(32)相接触。

6.根据权利要求5所述的高压直流电缆用半导电层电荷发射测试装置,其特征在于,所述压块(6)选用绝缘材料。

7.根据权利要求6所述的高压直流电缆用半导电层电荷发射测试装置,其特征在于,所述绝缘材料选择聚四氟乙烯。

8.根据权利要求7所述的高压直流电缆用半导电层电荷发射测试装置,其特征在于,所述聚四氟乙烯为高纯度的聚四氟乙烯,其纯度≥90%。

9.根据权利要求5所述的高压直流电缆用半导电层电荷发射测试装置,其特征在于,所述压块(6)外表面设置有外罩(7),所述外罩(7)为绝缘材料。

10.根据权利要求5-9任一所述的高压直流电缆用半导电层电荷发射测试装置,其特征在于,所述第一电极(2)包括电极上表面(21)、电极下表面(22)、电极内表面(23)和电极外表面(24),其中,所述电极上表面(21)和电极下表面(22)均分别与电极内表面(23)和电极外表面(24)相邻;所述电极内表面(23)形成空心区(25);所述电极下表面(22)与所述半导电层(3)的上表面相接触;

所述半导电层(3)还包括半导电层第三区(33),所述半导电层第三区(33)环绕所述半导电层第二区(32);所述试品(4)还包括试品第三区(43),所述试品第三区(43)环绕所述试品第二区(42);且所述试品第三区(43)与所述半导电层第三区(33)相接触。

11.根据权利要求5-9任一所述的高压直流电缆用半导电层电荷发射测试装置,其特征在于,所述第一电极(2)的各个表面之间的接触处均为光滑过渡面;所述半导电层(3)为半导电材料,其厚度为0.1-1mm;所述试品(4)为绝缘材料,其厚度为0.1-1mm。