1.一种纳米级气敏传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；

在所述衬底表面形成第一介质层；

在所述第一介质层表面形成第一气敏层；

在所述第一气敏层表面形成第二介质层；

在所述第二介质层内形成暴露出第一气敏层的沟槽；

在所述沟槽的底部和侧壁形成第一隔离层；

在第一隔离层表面形成填充满沟槽且与第二介质层齐平的加热层；

在加热层和第一隔离层表面形成第二隔离层，所述第一隔离层和第二隔离层构成环绕加热层的电隔离层；

形成覆盖第二介质层和第二隔离层的第二气敏层；

在第二气敏层表面形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形与电隔离层对应，以所述第一光刻胶图形为掩膜，刻蚀第二气敏层、第二介质层和第一气敏层，直至暴露出第一介质层；

去除第一光刻胶图形；

在第二气敏层和第一介质层上沉积第三气敏层；

对第三气敏层进行回刻蚀，使得第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层环绕电隔离层；

形成覆盖第一介质层、第二气敏层和第三气敏层的第三介质层；

在第三介质层上形成掩膜，刻蚀第三介质层和第一介质层直至暴露出衬底；

侧向刻蚀去除位于第一气敏层下方的第一介质层，使得第一气敏层悬空；

沿加热层的长度方向回刻蚀部分长度的加热层，形成开口；

在开口内填充第四介质层；

侧向回刻蚀第三介质层和第一介质层，露出第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层；

形成环包第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层的第一导电层；

在第三介质层内形成暴露出加热层的通孔；

在通孔侧壁形成阻挡层；

在通孔内填充导电材料。

2.如权利要求1所述的纳米级气敏传感器的形成方法，其特征在于，第一介质层材料为氧化硅，氮化硅或氮氧化硅。

3.如权利要求1所述的纳米级气敏传感器的形成方法，其特征在于，所述第一气敏层的材料为氧化钛、氧化锡或氧化锌。

4.如权利要求1所述的纳米级气敏传感器的形成方法，其特征在于，所述第二气敏层的材料为氧化钛、氧化锡或氧化锌。

5.如权利要求1所述的纳米级气敏传感器的形成方法，其特征在于，所述第三气敏层的材料为氧化钛、氧化锡或氧化锌。

6.如权利要求1所述的纳米级气敏传感器的形成方法，其特征在于，所述加热层的材料为多晶硅。

7.如权利要求1所述的纳米级气敏传感器的形成方法，其特征在于，所述加热层的材料为多晶硅。

8.如权利要求1所述的纳米级气敏传感器的形成方法，其特征在于，所述第二介质层材料为氧化硅，氮化硅或氮氧化硅。

9.如权利要求1所述的纳米级气敏传感器的形成方法，其特征在于，所述第三介质层材料为氧化硅，氮化硅或氮氧化硅。

10.如权利要求1所述的纳米级气敏传感器的形成方法，其特征在于，所述第四介质层材料为氧化硅，氮化硅或氮氧化硅。