1.用氮和硼改善4H-SiC MOSFET反型层迁移率的方法，其步骤如下：A、采用离子注入工艺在4H-SiC晶片上形成4H-SiC MOSFET的漏极和源极的接触区域；

所述的4H-SiC MOSFET为DiMOS结构；

B、采用离子注入工艺将五价元素氮植入到4H-SiC外延层(12)表面；

C、利用1500℃高温的方式对注入的氮进行激活；

D、采用湿氧氧化工艺形成氧化层(11)；湿氧氧化的温度范围为930-970℃，氧化时间范围为1.5-2小时，生长的氧化层(11)的厚度范围为38-45nm；

E、采用扩散工艺将三价元素硼植入到外延层(12)与氧化层(11)的界面；扩散工艺的扩散温度为950℃，时间为1.5-2.5小时，确保硼掺杂剂在热动力的驱使下能穿透氧化层(11)到达4H-SiC/SiO2界面；硼掺杂剂由氮化硼和三氧化二硼按照4:1的重量比例组成，经扩散后的硼原子在4H-SiC/SiO2界面的峰值浓度范围为2×1020-6×1020cm-3，在4H-SiC外延层(12)中的深度范围为10-20nm；

F、在4H-SiC晶片上镀上金属层，并采用剥离工艺形成金属电极，随后用快速退火的方法形成性能良好的欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的用氮和硼改善4H-SiC MOSFET反型层迁移率的方法，其特征在于，所述的离子注入工艺是在4H-SiC外延层(12)表面进行的室温下多能量的离子注入。

3.根据权利要求1所述的用氮和硼改善4H-SiC MOSFET反型层迁移率的方法，其特征在于，步骤C是在惰性气体的保护下进行1500℃高温退火，以此来激活注入的氮离子。

4.根据权利要求3所述的用氮和硼改善4H-SiC MOSFET反型层迁移率的方法，其特征在于，高温激活后的氮离子在4H-SiC外延层(12)中的形状呈高斯分布，峰值浓度范围为2×

1019-1×1020cm-3，深度范围为10-20nm。

5.根据权利要求1所述的用氮和硼改善4H-SiC MOSFET反型层迁移率的方法，其特征在于，硼扩散工艺后，在惰性气体的保护下退火。

6.根据权利要求3或5所述的用氮和硼改善4H-SiC MOSFET反型层迁移率的方法，其特征在于，惰性气体为氩气。