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专利号: 2017111815508
申请人: 西安理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 玻璃;矿棉或渣棉
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种原位结晶的锡掺杂氧化铟纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:

步骤1,配制溶胶:依次将苯酰丙酮、铟的无机盐添加到乙醇中,在50℃~60℃的油浴中搅拌1小时,冷却至室温后,继续添加锡的氯化盐和乙酸酐,室温搅拌2小时,最后加入聚乙二醇,搅拌均匀后得到ITO溶胶;

步骤2,制备凝胶膜:将由步骤1制备得到的ITO溶胶均匀涂敷于钠钙玻璃基板上,形成凝胶膜;

步骤3,凝胶膜热处理:将由步骤2制备得到的凝胶膜放入热处理炉中于450℃~550℃下保温2小时,空冷至室温得到原位结晶的锡掺杂氧化铟纳米晶薄膜;

步骤1中,配制溶胶所用原料的配比如下:铟的无机盐、锡的氯化盐、乙醇、苯酰丙酮、乙酸酐及聚乙二醇的摩尔比为1:0.075~0.15:50~55:7~7.5:1.5~2:0.3~0.35。

2.根据权利要求1所述的一种原位结晶的锡掺杂氧化铟纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于,步骤1中,所述铟的无机盐为硝酸铟或氯化铟;所述锡的氯化盐为四氯化锡或二氯化锡。

3.根据权利要求1所述的一种原位结晶的锡掺杂氧化铟纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于,步骤1中,配制溶胶时的环境中的相对湿度值为30%~100%。

4.根据权利要求1所述的一种原位结晶的锡掺杂氧化铟纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于,步骤2中,采用浸渍提拉技术将由步骤1制备得到的ITO溶胶均匀涂敷于钠钙玻璃基板上;浸渍提拉技术的工艺参数为:浸渍时间为1s~10s,提拉速度为0.3cm/s~1.5cm/s,空气湿度不大于40%。

5.根据权利要求1所述的一种原位结晶的锡掺杂氧化铟纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于,步骤2中,采用旋涂技术将由步骤1制备得到的ITO溶胶均匀涂敷于钠钙玻璃基板上;旋涂技术的工艺参数为:使用的转速为2500转/分~4000转/分,每毫升ITO溶胶所需的旋涂时间为150s~300s,空气湿度不大于40%。

6.根据权利要求1所述的一种原位结晶的锡掺杂氧化铟纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于,步骤3制备得到的原位结晶的锡掺杂氧化铟纳米晶薄膜厚度为200nm~400nm。

7.根据权利要求1所述的一种原位结晶的锡掺杂氧化铟纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于,步骤3制备得到的原位结晶的锡掺杂氧化铟纳米晶薄膜的晶粒尺寸为5nm~20nm。

8.根据权利要求1所述的一种原位结晶的锡掺杂氧化铟纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于,步骤3制备得到的原位结晶的锡掺杂氧化铟纳米晶薄膜的载流子浓度为5×1019个/cm3~3×1021个/cm3。