1.一种单层阻变膜忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，制备Bi(1-x)CaxFeO3-x/2混合物靶材，具体步骤如下：(1)、原料混合：

将Bi2O3、CaCO3和Fe2O3，按(1-x)∶2x∶1的摩尔比混合，其中，0.0001≤x≤0.03；

加入去离子水或无水乙醇，入磨机粉磨至颗粒物粒径在0.08mm以下；

取出、烘干，得到混合料；

(2)、造粒：

将上述混合料进行造粒：按待造粒混合料质量的2-5％，加入质量百分比浓度为2-5％的聚乙烯醇溶液，拌和均匀后，过40目筛进行造粒；

(3)、Bi(1-x)CaxFeO3-x/2混合物靶材的压制成型：将经过造粒后的物料置于压片机上压制成块；然后，将所得块状物料切割成直径为20-

150mm，厚度为2-50mm的圆片，即得Bi(1-x)CaxFeO3-x/2混合物靶材；

第二步，选取下电极：

所选取的下电极为复合层结构，自上向下依次包括Pt层、TiO2层、SiO2层和Si基片层；

第三步，将所得到的Bi(1-x)CaxFeO3-x/2混合物靶材，采用脉冲激光方法或磁控溅射方法沉积在上述下电极的上表面上；

第四步，以材质为Au、Ag或Pt的靶材，采用热喷涂方法，将Au、Ag或Pt沉积在所述第三步得到的Bi(1-x)CaxFeO3-x/2薄膜上，得到上电极；

最后，在700-900℃下热处理10-30分钟，得到化学成分为Bi(1-x)CaxFeO3-x/2的单层陶瓷纳米薄膜，即得单层纳米阻变膜忆阻器。

2.根据权利要求1所述的一种单层阻变膜忆阻器的制备方法，其特征在于，所述上电极的厚度为10nm-50um。

3.根据权利要求1所述的一种单层阻变膜忆阻器的制备方法，其特征在于，所述单层陶瓷纳米薄膜的厚度为10-990nm。