1.一种用于显示器的混合LED发光体，其特征在于，包括：

一个基板；

外延垒晶薄膜层，形成于基板上的外延垒晶薄膜层；

像素：由外延垒晶薄膜层上形成的大量像素点，其中各像素包括第一子像素、第二子像素、第三子像素，第一、第三子像素对应micro ULED，由micro ULED点亮，第二子像素对应OLED，由OLED直接点亮；

LED控制器：可选择地控制micro ULED的开启关闭；

电界面矩阵层：直接与每个OLED电性连接。

2.根据权利要求1所述的用于显示器的混合LED发光体，其特征在于，其中在外延垒晶薄膜层表面进一步包括大量凹陷状界面，界面凹陷处用于放置LED，以LED作为凹陷状界面的填充物。

3.根据权利要求1所述的用于显示器的混合LED发光体，其特征在于，其中各像素中：第一子像素对应的micro ULED发射蓝色光；第二子像素对应OLED发射红色光；第三子像素对应的micro ULED发射绿色光，每个像素对应三种光色。

4.根据权利要求1-2任一项所述的用于显示器的混合LED发光体，其特征在于，其中像素中第一子像素与第三子像素对应的micro ULED及用于作为外延垒晶薄膜层表面的凹陷状界面的填充物的LED其外延层选自氮化镓系化合物。

5.根据权利要求4所述的用于显示器的混合LED发光体，其特征在于，其中像素中各个子像素对应的micro ULED及用于作为外延垒晶薄膜层表面的凹陷状界面的填充物的LED的外延层依次包括氮化镓系：u-GaN层、n型层、发光层、电子阻挡层、P型层。

6.根据权利要求5所述的用于显示器的混合LED发光体，其特征在于，其中所述电子阻挡层掺杂有Al，包含若干个生长周期，每个周期包括一个第一生长阶段和一个第二生长阶段。

7.根据权利要求6所述的用于显示器的混合LED发光体，其特征在于，其中所述第一生长阶段镓前驱源的流量对应为镓前驱源第一流量，第二生长阶段镓前驱源的流量对应为镓前驱源第二流量，第一生长阶段中镓前驱源第一流量>第二生长阶段中镓前驱源第二流量。

8.根据权利要求7所述的用于显示器的混合LED发光体，其特征在于，其中所述电子阻挡层制备过程中一个生长周期内第一生长阶段的生长速率大于等于6μm/h，第二生长阶段的生长速率小于等于2μm/h，第一生长阶段的生长时间≥1.5倍第二生长阶段的生长时间。

9.根据权利要求8所述的用于显示器的混合LED发光体，其特征在于，其中所述电子阻挡层制备过程中一个生长周期内第一生长阶段的生长温度大于第二生长阶段的生长温度，第一生长阶段的生长温度—第二生长阶段的生长温度≥50℃。