1.一种用于高温工况的类超晶格Zn‑Sb/Ge‑Sb纳米相变存储薄膜，其特征在于，其结构通式为[ZnxSb100‑x(a)/GeySb100‑y(b)]n，其中x和y表示原子百分比，且10

制备方法包括如下步骤：

1)、清洗SiO2/Si(100)基片；

2)、安装好溅射靶材，先后开启机械泵和分子泵抽真空；设定溅射气体流量、腔内溅射气压和靶材的溅射功率；

3)、采用室温磁控溅射方法制备[ZnxSb100‑x(a)/GeySb100‑y(b)]n纳米复合多层相变薄膜：(a)将基片旋转到GeySb100‑y靶位，开启GeySb100‑y的溅射电源，开始溅射GeySb100‑y薄膜，GeySb100‑y薄膜溅射完成后，关闭GeySb100‑y的交流溅射电源；

(b)将基片旋转到ZnxSb100‑x靶位，开启ZnxSb100‑x的射频电源，开始溅射ZnxSb100‑x薄膜，ZnxSb100‑x薄膜溅射完成后，关闭ZnxSb100‑x的交流溅射电源；

(c)重复步骤(a)和(b)，直到完成类超晶格[ZnxSb100‑x(a)/GeySb100‑y(b)]n纳米相变薄膜设定的周期数n。

2.如权利要求1所述的用于高温工况的类超晶格Zn‑Sb/Ge‑Sb纳米相变存储薄膜，其特征在于，其化学组成为[Zn50Sb50(4)/Ge8Sb92(8nm)]4、[Zn50Sb50(6nm)/Ge8Sb92(6nm)]4、[Zn50Sb50(8nm)/Ge8Sb92(4nm)]4或[Zn50Sb50(23nm)/Ge8Sb92(2nm)]2。

3.如权利要求1所述的用于高温工况的类超晶格Zn‑Sb/Ge‑Sb纳米相变存储薄膜，其特征在于，所述SiO2/Si(100)基片的清洗方法为先将基片置于乙醇溶液中，用超声清洗18～

22分钟，去基片表面灰尘颗粒以及无机杂质；然后将基片置于丙酮溶液中，用超声清洗18～

22分钟，去基片表面有机杂质；再将基片置于去离子水中，用超声清洗18～22分钟，再次清洗表面；然后取出基片，用高纯N2吹干表面和背面，放置在干燥箱内待用。

4.如权利要求1所述的用于高温工况的类超晶格Zn‑Sb/Ge‑Sb纳米相变存储薄膜，其特征在于，开启真空计和机械泵抽真空，待腔体内真空达到5Pa或以下时，启动分子泵，抽真空‑4至2×10 Pa以下。

5.如权利要求1或4任一所述的用于高温工况的类超晶格Zn‑Sb/Ge‑Sb纳米相变存储薄膜，其特征在于，使用高纯Ar气作为溅射气体，Ar气流量设为26～32SCCM，溅射气压为2.0～‑1

2.6×10 Pa。

6.如权利要求5所述的用于高温工况的类超晶格Zn‑Sb/Ge‑Sb纳米相变存储薄膜，其特征在于，溅射速度为4～8nm/s。

7.如权利要求6所述的用于高温工况的类超晶格Zn‑Sb/Ge‑Sb纳米相变存储薄膜，其特征在于，交流电源溅射功率设置为18～22W。