1.一种用于相变存储器的Sb‑Se‑Ti系列纳米复合相变薄膜，其特征在于，其化学组成符合化学通式(SbxSe1‑x)1‑yTiy；

其化学组成为(Sb0.5Se0.5)0.88Ti0.12；

其制备方法，包括以下步骤：

1）、将SbxSe1‑x合金靶材放在溅射仪的靶位上，在SbxSe1‑x靶材上面放置所需扇形Ti靶材，且扇形Ti靶材的圆心与SbxSe1‑x合金靶材的圆心重合；

2）、将清洗干净的SiO2/Si(100)基片固定在样品托盘上，密封溅射仪器腔体，关闭对外通气阀门；开启真空计和机械泵抽真空，待腔体内真空达到5Pa或以下时，启动分子泵，打开‑4插板阀，抽真空至2×10 Pa以下；

3）、将SbxSe1‑x合金靶材的交流电源溅射功率设置为18～22W；使用高纯Ar气作为溅射气‑1体，Ar气流量设为26～32SCCM，溅射气压为2.0～2.6×10 Pa；

4）、用上位机软件在线控制和监测镀膜的全过程，设置溅射时间，靶材的溅射速度为4～8s/nm，将SiO2/Si(100)基片旋转到SbxSe1‑x(Ti)靶位，开启交流溅射电源，在SiO2/Si(100)基片上溅射一段时间后得到(SbxSe1‑x)1‑yTiy合金相变薄膜，溅射结束后，关闭SbxSe1‑x(Ti)靶位的交流溅射电源。

2.如权利要求1所述的用于相变存储器的Sb‑Se‑Ti系列纳米复合相变薄膜，其特征在于，所述SiO2/Si(100)基片的清洗方法为先将基片置于乙醇溶液中，用超声清洗8～12分钟，去基片表面灰尘颗粒以及无机杂质；然后将基片置于丙酮溶液中，用超声清洗8～12分钟，去基片表面有机杂质；再将基片置于去离子水中，用超声清洗8～15分钟，再次清洗表面；然后取出基片，用高纯N2吹干表面和背面，放置在干燥箱内待用。

3.如权利要求2所述的用于相变存储器的Sb‑Se‑Ti系列纳米复合相变薄膜，其特征在于，所述的扇形Ti靶材的半径20mm，厚度2mm，圆心角为30°。