1.一种硅酸钇镥晶体长方体器件的加工方法，其特征在于，包括步骤：S1：通过切割硅酸钇镥晶体获得片状毛坯料A；

S2：通过加工所述片状毛坯料A的两个平行相对的切割面a获得片状毛坯料A1；

S3：通过在所述片状毛坯料A1的两个加工面上a1涂上保护材料获得片状毛坯料A2；

S4：通过用粘结材料P将m个所述片状毛坯料A2以加工面a1对应相贴的方式依次相粘结获得长方体毛坯料B，m为自然数且m≥2；

S5：通过沿垂直于所述加工面a1方向并以间隔相等的方式切割所述长方体毛坯料B获得n个片状毛坯料B1，n为自然数且n≥2；

S6：通过加工所述片状毛坯料B1的两个平行相对的切割面b获得片状毛坯料B2；

S7：通过在所述片状毛坯料B2的两个加工面b1涂上所述保护材料获得片状毛坯料B3；

S8：通过用粘结材料Q将k个所述片状毛坯料B3以所述加工面b1对应相贴的方式依次相粘结获得长方体毛坯料B4，k为自然数且2≤k≤n；

S9：通过加工所述长方体毛坯料B4的两个未涂所述保护材料的面获得长方体毛坯料B5；

S10：通过清洗除去所述长方体毛坯料B5中的所述保护材料、所述粘结材料P和所述粘结材料Q获得m×k个硅酸钇镥晶体长方体器件，加工完毕。

2.根据权利要求1所述的一种硅酸钇镥晶体长方体器件的加工方法，其特征在于，所述步骤S2、S6、S9中的所述加工依次为上盘、研磨、抛光、下盘。

3.根据权利要求2所述的一种硅酸钇镥晶体长方体器件的加工方法，其特征在于，所述上盘过程中以熔点在50摄氏度以下的粘结蜡为粘结材料。

4.根据权利要求1所述的一种硅酸钇镥晶体长方体器件的加工方法，其特征在于，所述步骤S3、S7中的所述保护材料为保护漆。

5.根据权利要求1所述的一种硅酸钇镥晶体长方体器件的加工方法，其特征在于，所述步骤S4中的所述粘结材料P为熔点在100摄氏度以上的粘结蜡。

6.根据权利要求1所述的一种硅酸钇镥晶体长方体器件的加工方法，其特征在于，所述步骤S4中的所述粘结材料Q为熔点在70摄氏度以下的粘结蜡。