1.一种垂直生长的二硫化钼阵列电极材料，其特征在于，所述的二硫化钼为纳米片状结构，所述的电极材料中，二硫化钼垂直生长于基底上。

2.权利要求1所述的垂直生长的二硫化钼阵列电极材料，其特征在于，所述的二硫化钼的片状结构有20%-90%垂直生长于基底上。

3.权利要求1或2所述的垂直生长的二硫化钼阵列电极材料的制备方法，其特征在于，具体制备方法如下：（1）在室温下，将氯化钼溶于乙醇，再加入添加剂，得到前躯液；

（2）将上述前躯液滴涂或旋涂到基底上，70 100℃下快速干燥，得到前驱膜；

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（3）将步骤（2）中前驱膜于Ar+S气氛中或N2+S气氛中，经500~900℃烧结10 min~4 h随炉冷却取出即可得到二硫化钼原位电极。

4.根据权利要求权利3所述的垂直生长的二硫化钼阵列电极材料的制备方法，其特征在于，所述的添加剂包括氯化镍、氯化铜、双氰胺中的任意一种。

5.根据权利要求权利3所述的垂直生长的二硫化钼阵列电极材料的制备方法，其特征在于，所述的氯化钼的浓度为100 700 mM，添加剂与氯化钼的摩尔比为1：5 25。

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6.根据权利要求权利3所述的垂直生长的二硫化钼阵列电极材料的制备方法，其特征在于，所述的氯化钼的浓度为100 700 mM，添加剂与氯化钼的摩尔比为1：5 25。

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7.根据权利要求权利3所述的垂直生长的二硫化钼阵列电极材料的制备方法，其特征在于，所述的氯化钼的浓度为100 700 mM，添加剂与氯化钼的摩尔比为1：5 25。

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8.根据权利要求权利3所述的垂直生长的二硫化钼阵列电极材料的制备方法，其特征在于，所述的步骤（2）中将上述前躯液滴涂或旋涂到基底上，70 100℃于干燥空气中自然干~燥或于热台上干燥5-15 min，得到前驱膜。

9.根据权利要求权利3所述的垂直生长的二硫化钼阵列电极材料的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，前驱膜于Ar+S气氛下500℃烧结30min，再在800℃下烧结30min后随炉冷却取出即可得到产品。