1.一种钴掺杂二硫化钼原位电极，其特征在于，所述的钴掺杂二硫化钼为钴均匀替代钼所形成的钴掺杂二硫化钼，钴掺杂二硫化钼的物相为2H型二硫化钼。

2.权利要求1所述的钴掺杂二硫化钼原位电极，其特征在于，所述的钴均匀替代钼中有

5 at%-20 at%的钴替代了钼。

3.权利要求1所述的钴掺杂二硫化钼原位电极，其特征在于，所述的钴为纳米颗粒状。

4.权利要求1-3任一项所述的钴掺杂二硫化钼原位电极的制备方法，其特征在于，具体制备方法如下：（1）在室温下，将氯化钼溶于乙醇溶液中，再加入金属钴盐，再加入硫脲，搅拌溶解，得到Co-Mo-S前躯液；

（2）将上述前躯液滴涂或旋涂到基底上，70 100℃快速干燥，得到前驱膜；

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（3）将步骤二中前驱膜于氩气或氮气保护中经500 800℃烧结0.5 2 h，随炉冷却取出~ ~即可得到钴掺杂二硫化钼原位电极。

5.根据权利要求4所述的钴掺杂二硫化钼原位电极的制备方法，其特征在于，所述的金属钴盐为可溶于极性溶剂的盐，包括硫酸钴、氯化钴、硝酸钴、乙酸钴、草酸钴或碳酸氢钴。

6.根据权利要求4所述的钴掺杂二硫化钼原位电极的制备方法，其特征在于，金属钴盐与氯化钼的摩尔比为1: 2 18，氯化钼的浓度为100 700 mM，金属原子与硫脲的摩尔比为1：~ ~

2 7。

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7.根据权利要求4所述的钴掺杂二硫化钼原位电极的制备方法，其特征在于，所述的步骤（2）中将上述前躯液滴涂或旋涂到基底上，70 100℃于干燥空气中自然干~燥或于热台上干燥5-15min，得到前驱膜。

8.根据权利要求4所述的钴掺杂二硫化钼原位电极的制备方法，其特征在于，氩气或氮气保护中，固相烧结的温度为500 800℃。

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