1.一种多晶硅高阻结构，其特征在于：所述多晶硅高阻结构包括：衬底，形成于所述衬底上的多晶硅高阻层，形成于所述衬底上且环设于所述多晶硅高阻层外围与所述多晶硅高阻层间隔设置的多晶硅低阻层，形成于所述衬底、所述多晶硅高阻层与所述多晶硅低阻层上的钝化层，贯穿所述钝化层且对应所述多晶硅高阻层的第一接触孔，贯穿所述钝化层且对应所述多晶硅低阻层的第二接触孔，形成于所述钝化层上的金属层，所述金属层包括第一部分及第二部分，所述第一部分经由所述第一接触孔连接所述多晶硅高阻层，所述第二部分经由第二接触孔连接多晶硅低阻层。

2.如权利要求1所述的多晶硅高阻结构，其特征在于：所述多晶硅高阻层的平面形状为直条状。

3.如权利要求2所述的多晶硅高阻结构，其特征在于：所述多晶硅低阻层的平面形状为矩形环状，其包括第一直条结构与第二直条结构，所述多晶硅高阻层平行于所述第一直条结构或所述第二直条结构。

4.如权利要求1所述的多晶硅高阻结构，其特征在于：所述第一接触孔得数量为两个，所述第一部分的数量为两个，所述两个第一接触孔分别对应所述多晶硅高阻层的两端，所述两个第一部分分别通过所述两个第一接触孔连接所述多晶硅高阻层，每个第一部分还经由一第二接触孔连接所述多晶硅低阻层。

5.如权利要求1所述的多晶硅高阻结构，其特征在于：所述第二接触孔的数量为多个，所述第二部分的数量为多个，所述多晶硅低阻层对应的第二接触孔均匀分布，每个第二部分通过多个第二接触孔连接所述多晶硅低阻层。

6.如权利要求1所述的多晶硅高阻结构，其特征在于：所述多晶硅高阻层的方块电阻为每方块2KΩ，所述多晶硅低阻层的方块电阻为每方块15欧。

7.如权利要求1所述的多晶硅高阻结构，其特征在于：所述多晶硅高阻层结构形成于半导体器件的划片道区域。

8.一种多晶硅高阻结构的制作方法，其特征在于：所述多晶硅高阻结构的制作方法包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底上依序形成多晶硅高阻层及氧化层；

利用光刻胶作为掩膜，形成贯穿氧化层且对应所述多晶硅高阻层的开口，去除所述光刻胶，利用所述开口对所述多晶硅高阻层进行低阻化工艺，形成对应所述开口的多晶硅低阻层，所述多晶硅低阻层的平面形状包括环形；

去除所述氧化层，对所述多晶硅高阻层进行刻蚀，从而形成位于所述多晶硅低阻层的环形内且与所述多晶硅低阻层间隔设置的多晶硅高阻层；

在所述衬底、所述多晶硅高阻层与所述多晶硅低阻层上形成钝化层；

形成贯穿所述钝化层且对应所述多晶硅高阻层的第一接触孔以及贯穿所述钝化层且对应所述多晶硅低阻层的第二接触孔；

在所述钝化层上形成金属层，所述金属层包括第一部分及第二部分，所述第一部分经由所述第一接触孔连接所述多晶硅高阻层，所述第二部分经由第二接触孔连接多晶硅低阻层。

9.如权利要求8所述的多晶硅高阻结构的制作方法，其特征在于：所述第一接触孔得数量为两个，所述第一部分的数量为两个，所述两个第一接触孔分别对应所述多晶硅高阻层的两端，所述两个第一部分分别通过所述两个第一接触孔连接所述多晶硅高阻层，每个第一部分还经由一第二接触孔连接所述多晶硅低阻层。

10.如权利要求8所述的多晶硅高阻结构的制作方法，其特征在于：所述第二接触孔的数量为多个，所述第二部分的数量为多个，所述多晶硅低阻层对应的第二接触孔均匀分布，每个第二部分通过多个第二接触孔连接所述多晶硅低阻层。