1.一种具有梯度结构的低反射高屏蔽电磁屏蔽复合材料，其特征在于，所述电磁屏蔽复合材料是由石墨烯负载四氧化三铁纳米粒子、四角针状氧化锌晶须纳米粒子负载银以及基体构成的，利用一次共混浇注实现一体成型，在成型过程中石墨烯负载四氧化三铁纳米粒子、四角针状氧化锌晶须纳米粒子负载银在基体内自然沉降，使得四角针状氧化锌晶须纳米粒子负载银集中于所述电磁屏蔽复合材料的下部，石墨烯负载四氧化三铁纳米粒子集中于四角针状氧化锌晶须纳米粒子上部，形成具有梯度结构的电磁屏蔽复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种具有梯度结构的低反射高屏蔽电磁屏蔽复合材料，其特征在于，所述基体为水性聚氨酯。

3.根据权利要求1所述的一种具有梯度结构的低反射高屏蔽电磁屏蔽复合材料，其特征在于，在所述电磁屏蔽复合材料中，石墨烯负载四氧化三铁纳米粒子的含量为1 wt% 5 ~wt%，四角针状氧化锌晶须纳米粒子负载银的含量为0 wt% 50 wt%，且不为0。

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4.一种具有梯度结构的低反射高屏蔽电磁屏蔽复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将石墨烯负载四氧化三铁纳米粒子、四角针状氧化锌晶须纳米粒子负载银与基体共混，超声分散，浇注到模具中，在真空烘箱中干燥成型，在成型过程中石墨烯负载四氧化三铁纳米粒子、四角针状氧化锌晶须纳米粒子负载银在基体内自然沉降，使得四角针状氧化锌晶须纳米粒子负载银集中于所述电磁屏蔽复合材料的下部，石墨烯负载四氧化三铁纳米粒子集中于四角针状氧化锌晶须纳米粒子上部，形成具有梯度结构的电磁屏蔽复合材料。

5.根据权利要求4所述的一种具有梯度结构的低反射高屏蔽电磁屏蔽复合材料的制备方法，其特征在于，所述基体为水性聚氨酯。

6.根据权利要求4所述的一种具有梯度结构的低反射高屏蔽电磁屏蔽复合材料的制备方法，其特征在于，在所述电磁屏蔽复合材料中，石墨烯负载四氧化三铁纳米粒子的含量为

1 wt% 5 wt%，四角针状氧化锌晶须纳米粒子负载银的含量为0 wt% 50 wt%，且不为0。

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7.根据权利要求1至3任一权利要求所述的一种具有梯度结构的低反射高屏蔽电磁屏蔽复合材料，或者权利要求4至6任一权利要求所述的一种具有梯度结构的低反射高屏蔽电磁屏蔽复合材料的制备方法，其特征在于，所述石墨烯负载四氧化三铁纳米粒子的制备方法包括如下步骤：称取氧化石墨烯分散液，超声分散30 min，将质量比为3:2的三氯化铁和硫酸亚铁溶于水中，并加入到氧化石墨烯分散液中；将混合液置于50-80℃的水浴中，逐滴加入氨水，反应

2h，加入水合肼，再反应8h，过滤洗涤，得到石墨烯负载四氧化三铁纳米粒子。

8.根据权利要求1至3任一权利要求所述的一种具有梯度结构的低反射高屏蔽电磁屏蔽复合材料，或者权利要求4至6任一权利要求所述的一种具有梯度结构的低反射高屏蔽电磁屏蔽复合材料的制备方法，其特征在于，所述四角针状氧化锌晶须纳米粒子负载银的制备方法包括如下步骤：将四角针状氧化锌晶须纳米粒子加入到化学镀液中，30-60℃下超声分散，将还原剂液逐滴加入到化学镀液中，进行30-60 min的化学镀银，之后洗涤、抽滤、烘干，最终获得四角针状氧化锌晶须纳米粒子负载银纳米粒子；所用化学镀液的组成为：5 20 g/L的硝酸银，50~

200 ml/L的氨水，溶剂为蒸馏水；还原剂液的组成为：10 50 ml/L的甲醛。

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9.根据权利要求8所述的一种具有梯度结构的低反射高屏蔽电磁屏蔽复合材料，或者权利要求8所述的一种具有梯度结构的低反射高屏蔽电磁屏蔽复合材料的制备方法，其特征在于，四角针状氧化锌晶须纳米粒子在加入到化学镀液前，需进行敏化及活化处理，所述敏化的步骤包括：将四角针状氧化锌晶须纳米粒子加入到氯化亚锡敏化液中，25-

30℃下超声分散15-60 min，过滤洗涤；敏化液的组成为：氯化亚锡20 100 g/L，氢氧化钠~

140 300 g/L，酒石酸钾钠145  300 g/L，溶剂为蒸馏水；

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所述活化的步骤包括：将敏化后的四角针状氧化锌晶须纳米粒子加入到活化液中，25-

30℃下超声分散15-60 min，过滤，洗涤，干燥；活化液的组成为：氯化钯0.1 1 g/L，37 wt%~的浓盐酸10 ml/L，溶剂为蒸馏水。