1.一种基于波导光栅耦合器的光偏振态检测芯片，其特征在于：包括具有光栅区域(21)以及四个输出端口的波导光栅耦合器(11)，波导光栅耦合器(11)的四个输出端口划分为相互垂直的两组，两组输出端口分别通过第一单模波导(14)连接同一个多模干涉耦合器(13)，并分别通过第二单模波导(16)连接两个第一光电探测器(18)；所述的第一单模波导(14)、第二单模波导(16)与波导光栅耦合器(11)的输出端口之间均通过模式转换器(12)连接；所述的多模干涉耦合器(13)通过两个第三单模波导(15)连接两个第二光电探测器(17)。

2.根据权利要求1所述基于波导光栅耦合器的光偏振态检测芯片，其特征在于：所述的波导光栅耦合器(11)采用波导型二维光栅耦合器，波导光栅耦合器(11)的光栅区域(21)采用与第一单模波导(14)及第二单模波导(16)折射率不同的材料制成二维阵列。

3.根据权利要求2所述基于波导光栅耦合器的光偏振态检测芯片，其特征在于：所述光栅区域(21)的二维阵列为孔阵列或者狭缝阵列，孔阵列的孔型为方形或者圆形。

4.根据权利要求1所述基于波导光栅耦合器的光偏振态检测芯片，其特征在于：所述连接同一个多模干涉耦合器(13)的两个第一单模波导(14)的长度相同。

5.根据权利要求1所述基于波导光栅耦合器的光偏振态检测芯片，其特征在于：所述的波导光栅耦合器(11)、模式转换器(12)、多模干涉耦合器(13)、第一单模波导(14)、第二单模波导(16)、第三单模波导(15)、第一光电探测器(18)、第二光电探测器(17)均采用光波导型器件，制作在光波导材料衬底上。

6.根据权利要求5所述基于波导光栅耦合器的光偏振态检测芯片，其特征在于：所述的光波导材料衬底选用绝缘体上硅、二氧化硅、氮化硅或者磷化铟。