1.一种ZnO微米/纳米柱LED的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1)、在p型衬底上旋涂光刻胶；

S2)、采用预先制备好的掩膜板进行紫外曝光显影处理，获得微米/纳米柱生长的窗口，即获得图形化衬底；

S3)、将图形化衬底放入掺杂有p型掺杂原子的ZnO溶液当中，在60-100℃下生长p型ZnO微米/纳米柱2-12h，在生长过程中采用磁力搅拌机不断搅拌，保证溶液的均匀性；

S4)、将上步骤中生长p型ZnO微米/纳米柱的样品转移到掺杂有n型掺杂原子的ZnO溶液当中，在60-100℃下生长n型ZnO微米/纳米柱2-12h，在生长过程中采用磁力搅拌机不断搅拌，保证溶液的均匀性；

S5)、生长完成后除去光刻胶；

S6)、采用磁控溅射设备在n型ZnO微米/纳米柱外表面上沉积一层厚度为20-200nm的高导电率、透明性好的Al掺杂ZnO薄膜(AZO)；

S7)、减薄衬底，然后在AZO和衬底背面镀上电极，即可获得结构完整的ZnO微米/纳米柱LED。

2.根据权利要求1所述的一种ZnO微米/纳米柱LED的制备方法，其特征在于：步骤S1)中，所述的p型衬底为单晶Si、LaAlO3、GaN、AlN中的任一种。

3.根据权利要求1所述的一种ZnO微米/纳米柱LED的制备方法，其特征在于：步骤S2)中，生长窗口的形状可为圆形或方形或正多边形。

4.根据权利要求1所述的一种ZnO微米/纳米柱LED的制备方法，其特征在于：步骤S3)中，所述的p型掺杂原子为Mg、Na、Mn中的一种或者几种。

5.根据权利要求1所述的一种ZnO微米/纳米柱LED的制备方法，其特征在于：步骤S4)中，所述的n型掺杂原子为Al、Cu、Sn中的一种或者几种。

6.根据权利要求1所述的一种ZnO微米/纳米柱LED的制备方法，其特征在于：步骤S6)中，溅射功率为350-550W，沉积温度为200-500℃，沉积气氛为0.1-10Pa的氧气，沉积靶材为掺杂5-10％Al的ZnO陶瓷靶。

7.根据权利要求3所述的一种ZnO微米/纳米柱LED的制备方法，其特征在于：生长窗口的形状为圆形，并且其直径为50-500000nm，微米/纳米柱中心距离为0.5-300微米。