1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括转盘，所述转盘能够围绕其轴向转动；在所述转盘表面、且偏离所述转盘中心的位置设置有多个腔室，所述腔室内设置有一承载盘，待清洗的晶圆置于所述腔室中的所述承载盘上，使得在所述转盘转动、并带动所述晶圆转动的过程中，所述晶圆整体都受到所述转盘的离心力的作用，避免了清洗液残留于晶圆中心的问题；

多个腔室关于所述转盘的轴向中心对称分布，以便于同时对多片晶圆进行清洗，并改善所述晶圆表面清洗的均匀性；

所述晶圆清洗装置还包括控制器，所述控制器连接所述转盘和所述承载盘，用于分别驱动所述转盘与所述承载盘转动，且所述转盘与所述承载盘不会同时转动，以避免清洗剂在所述晶圆表面回流。

2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，相邻腔室之间设置有一隔板，用以实现两相邻腔室之间的物理隔离。

3.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述承载盘上设置有多个关于所述承载盘的轴向中心对称分布的卡盘销，所述卡盘销用于固定所述晶圆。

4.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述控制器驱动所述承载盘转动并检测所述承载盘是否转动第一预设时间，若是，则控制所述承载盘停止转动并驱动所述转盘开始转动。

5.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：

设置一转盘，所述转盘能够围绕其轴向转动；在所述转盘表面、且偏离所述转盘中心的位置设置有多个腔室，所述腔室内设置有一承载盘，待清洗的晶圆置于所述腔室中的所述承载盘上，多个腔室关于所述转盘的轴向中心对称分布，以便于同时对多片晶圆进行清洗，并改善所述晶圆表面清洗的均匀性，所述承载盘能够围绕其轴向转动，且所述转盘与所述承载盘不会同时转动，以避免清洗剂在所述晶圆表面回流；

控制所述转盘围绕其轴向转动，使得在所述转盘转动、并带动所述晶圆转动的过程中，所述晶圆整体都受到所述转盘的离心力的作用，避免了清洗液残留于晶圆中心的问题。

6.根据权利要求5所述的晶圆清洗方法，其特征在于，控制所述转盘围绕其轴向转动的具体步骤包括：控制所述承载盘围绕其轴向转动；

检测所述承载盘是否转动第一预设时间，若是，则控制所述承载盘停止转动并驱动所述转盘开始围绕其轴向转动。

7.根据权利要求5所述的晶圆清洗方法，其特征在于，控制所述转盘围绕其轴向转动的具体步骤包括：控制所述转盘围绕其轴向转动；

检测所述转盘是否转动第二预设时间，若是，则控制所述转盘停止转动并驱动所述承载盘开始围绕其轴向转动。