1.一种半导电体电荷发射测试装置，其特征在于，包括，

电源端(1)和与其相连的第一电极(2)；

所述第一电极(2)内形成空心区(25)，所述第一电极(2)的下表面(22)与半导电体(3)的上表面相接触；

所述半导电体(3)的下表面与待测试品(4)的上表面相接触；

所述试品(4)放置在第二电极(5)上；

所述半导电体(3)分为半导电体第一区(31)和与其相邻的半导电体第二区(32)；所述半导电体第一区(31)与空心区(25)相对应，所述半导电体第二区(32)与电极下表面(22)相接触；

所述试品(4)分为试品第一区(41)和与其相邻的试品第二区(42)；所述试品第一区(41)与所述半导电体第一区(31)相接触，所述试品第二区(42)与所述半导电体第二区(32)相接触。

2.根据权利要求1所述的半导电体电荷发射测试装置，其特征在于，所述第一电极(2)包括电极上表面(21)、电极下表面(22)、电极内表面(23)和电极外表面(24)，其中，所述电极上表面(21)和电极下表面(22)均分别与电极内表面(23)和电极外表面(24)相邻；所述电极内表面(23)形成空心区(25)；所述电极下表面(22)与所述半导电体(3)的上表面相接触。

3.根据权利要求1或2所述的半导电体电荷发射测试装置，其特征在于，所述第一电极(2)的各个表面之间的接触处均为光滑过渡面。

4.根据权利要求2所述的半导电体电荷发射测试装置，其特征在于，所述半导电体(3)为半导电材料，其厚度为0.1-1mm；所述试品(4)为绝缘材料，其厚度为0.1-1mm。

5.根据权利要求4所述的半导电体电荷发射测试装置，其特征在于，所述半导电体(3)选择高压电缆中的半导体材料，其厚度为0.2-0.7mm；所述试品(4)厚度为0.2-0.7mm。

6.根据权利要求4或5所述的半导电体电荷发射测试装置，其特征在于，所述半导电体(3)厚度为0.5mm，所述试品(4)厚度为0.5mm。

7.根据权利要求1、2、4和5任一所述的半导电体电荷发射测试装置，其特征在于，所述半导电体(3)还包括半导电体第三区(33)，所述半导电体第三区(33)环绕所述半导电体第二区(32)；所述试品(4)还包括试品第三区(43)，所述试品第三区(43)环绕所述试品第二区(42)；且所述试品第三区(43)与所述半导电体第三区(33)相接触。

8.根据权利要求6所述的半导电体电荷发射测试装置，其特征在于，所述半导电体(3)还包括半导电体第三区(33)，所述半导电体第三区(33)环绕所述半导电体第二区(32)；所述试品(4)还包括试品第三区(43)，所述试品第三区(43)环绕所述试品第二区(42)；且所述试品第三区(43)与所述半导电体第三区(33)相接触。

9.根据权利要求7所述的半导电体电荷发射测试装置，其特征在于，所述试品第三区(43)的径向宽度大于所述半导电体第三区(33)的径向宽度。

10.根据权利要求8所述的半导电体电荷发射测试装置，其特征在于，所述试品第三区(43)的径向宽度大于所述半导电体第三区(33)的径向宽度。

11.根据权利要求1或2所述的半导电体电荷发射测试装置，其特征在于，所述第一电极(2)为圆环体或中空圆柱体，所述电极下表面(22)为平滑过渡而得的平面。