1.一种晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，包括：将晶圆片与支撑载体贴合；

减小所述晶圆片的厚度；

在所述晶圆片的背面蚀刻划片槽；

在所述晶圆片的背面以及所述划片槽内粘附绝缘层；

在所述绝缘层以及所述划片槽的底部添加金属层；

去除所述划片槽的底部的所述金属层；

在剩余的所述金属层上以及所述划片槽的底部粘附保护层；

对所述保护层进行加工得到粘附孔，所述粘附孔的底部为外露的所述金属层；

在所述粘附孔的底部的所述金属层上粘附锡球。

2.根据权利要求1所述晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，所述将晶圆片与支撑载体贴合包括：在晶圆片的线路面粘附覆盖层；

在所述覆盖层粘附支撑载体。

3.根据权利要求2所述晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，在晶圆片的线路面粘附覆盖层包括：使用晶圆级塑封或者涂布或者喷涂所述覆盖层；

对所述覆盖层进行烘烤和去应力处理。

4.根据权利要求2所述晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，在所述覆盖层粘附支撑载体包括：在所述支撑载体和/或所述覆盖层上涂布有机胶体类的粘合剂；

将所述支撑载体与所述覆盖层贴合。

5.根据权利要求1所述晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，所述减小所述晶圆片的厚度具体为：研磨所述晶圆片的背面。

6.根据权利要求1所述晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，在所述绝缘层以及所述划片槽的底部增加金属层之前，所述方法还包括：对所述划片槽的底部进行加工，去除其底部的所述绝缘层和所述晶圆片的二氧化硅层，使得焊盘或者重布线层露出。

7.根据权利要求1所述晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，在所述绝缘层以及所述划片槽的底部增加金属层具体为：在所述绝缘层以及所述划片槽的底部沉积或者电镀金属层。

8.根据权利要求1所述晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，在所述晶圆片的背面蚀刻划片槽之前，所述方法还包括：对所述晶圆片的背面进行光刻显影和干法蚀刻。

9.根据权利要求1所述晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，所述划片槽为梯形槽。

10.根据权利要求1所述晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，所述对所述划片槽的底部进行加工包括进行光刻显影和干法蚀刻。

11.根据权利要求1所述晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，所述绝缘层的热收缩性能与所述保护层的热收缩性能一致。

12.根据权利要求1所述晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，在所述粘附孔的底部的所述金属层上粘附锡球包括：使用焊锡印刷工艺或锡球落球工艺将所述锡球嵌入至所述粘附孔的底部的所述金属层；

使用260℃高温回流焊接工艺焊接所述锡球与所述粘附孔的底部的所述金属层。

13.根据权利要求1-12任意一项所述晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，所述方法还包括：对所述划片槽所在的区域进行切割；

去除所述支撑载体后得到单颗的晶圆级芯片的封装体。

14.一种晶圆级芯片的封装体，其特征在于，包括：单晶硅层(10)、二氧化硅层(20)、焊盘(30)、覆盖层(40)、绝缘层(50)、金属层(60)、保护层(70)以及至少一个锡球(80)；

其中，所述二氧化硅层(20)与所述单晶硅层(10)相邻；

所述焊盘(30)设置在所述二氧化硅层(20)内，与所述金属层(60)接触；

所述覆盖层(40)与所述二氧化硅层(20)粘附在一起；

所述绝缘层(50)与所述单晶硅层(10)粘附在一起；

所述金属层(60)粘附在所述绝缘层(50)与所述二氧化硅层(20)外；

所述保护层(70)粘附在所述金属层(60)外；

所述至少一个锡球(80)穿过所述保护层(70)与所述金属层(60)焊接在一起。

15.根据权利要求14所述晶圆级芯片的封装体，其特征在于：所述单晶硅层(10)的厚度为100～300μm；

所述覆盖层(40)的厚度为10～40μm。

16.根据权利要求14所述晶圆级芯片的封装体，其特征在于，所述覆盖层(40)的材质具有高介电常数。

17.根据权利要求16所述晶圆级芯片的封装体，其特征在于，所述覆盖层(40)的材质为二氧化硅或三氧化二铝或陶瓷类氧化锆。

18.根据权利要求14-17任意一项所述晶圆级芯片的封装体，其特征在于，还包括重布线层(400)；

所述重布线层(400)设置在所述覆盖层(500)内，且与所述焊盘(300)以及金属层(700)接触。