1.一种金属阵列检测单元，其特征在于：包括外部固定架(4-1)、上高透玻璃(4-2)、下高透玻璃(4-3)和金属方块阵列结构板(4-4)；所述金属方块阵列结构板(4-4)位于上高透玻璃(4-2)与下高透玻璃(4-3)之间，所述上高透玻璃(4-2)与下高透玻璃(4-3)通过外部固定架(4-1)固定；

所述金属方块阵列结构板(4-4)的金属方块阵列中的单个金属方块的长为60～120nm，宽为60nm。

2.根据权利要求1所述的一种金属阵列检测单元，其特征在于：所述金属方块阵列结构板(4-4)的金属方块阵列的金属方块采用金属金、银或铜。

3.一种金属阵列检测单元的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1，准备基底：准备ITO玻璃基底并清洗吹干；

步骤2，涂光刻胶：用甩胶机在步骤1准备好的ITO玻璃基底上涂覆PMMA光刻胶，光刻胶的厚度为270nm，所述甩胶机的转速为4000rpm，时间为60s；

步骤3，涂胶后烘干：将步骤2涂覆PMMA光刻胶的基底放在热板上烘干，烘干的温度为

150℃，时间为3～15min；

步骤4，电子束曝光结构图形：用图形发生器设计金属方块阵列结构板(4-4)的金属方块阵列结构的图形，并用电子束曝光图形，得到曝光后的基底；曝光时，电子束对所述金属方块阵列结构的图形部分的PMMA光刻胶进行刻蚀；

步骤5，显影：常温下，将步骤4中曝光好的基底放入显影液中浸泡显影，显影液由四甲基二戊酮与异丙醇以体积比为3:1配合制成，浸泡显影的时间为60s；

步骤6，定影：将步骤5浸泡显影后的基底放入定影液中浸泡定影，定影完成后将基底取出，用氮气吹干，浸泡定影的时间为60s；

步骤7，定影后烘干：将步骤6浸泡定影后并吹干的基底放在热板上烘干；烘干的温度为

150℃，时间为3～15min；

步骤8，镀金：将步骤7定影后烘干的基底放入电子束真空蒸发镀膜机镀金、银或铜，蒸镀完冷却10min～20min后再取出，蒸镀金属的厚度为50nm；

步骤9，剥离PMMA光刻胶：采用lift-off工艺，将步骤8真空镀金后的基底泡在丙酮中，时间至少为30min，溶解电子束PMMA光刻胶；

步骤10，吹干：用氮气枪吹干步骤9得到的剥离PMMA光刻胶后的基底，得到金属方块阵列结构板(4-4)；

步骤11，将所述金属方块阵列结构板(4-4)固定在上高透玻璃(4-2)与下高透玻璃(4-

3)之间，再通过外部固定架(4-1)将所述上高透玻璃(4-2)与下高透玻璃(4-3)固定，制备得到检测单元。

步骤12，重复步骤1至步骤11制备金属方块长度不相同的金属方块阵列结构板(4-4)，制备得到不同的检测单元。

4.一种金属阵列检测转换装置，其特征在于：包括转轴(3)、沿转轴(3)周向均匀分布的多个检测单元(4)、用于联接检测单元和转轴(3)的连接杆(7)，所述连接杆(7)的一端与转轴(3)连接，连接杆(7)的另一端与检测单元(4)连接；

所述检测单元(4)包括：外部固定架(4-1)、上高透玻璃(4-2)、下高透玻璃(4-3)和金属方块阵列结构板(4-4)；所述金属方块阵列结构板(4-4)夹持在上高透玻璃(4-2)与下高透玻璃(4-3)之间，所述上高透玻璃(4-2)与下高透玻璃(4-3)通过外部固定架(4-1)固定；

所述金属方块阵列结构板(4-4)的金属方块阵列的单个金属方块的长为60～120nm，宽为60nm；

所述金属方块阵列结构板(4-4)的金属方块阵列的每个金属方块大小均相同，且不同检测单元(4)的金属方块阵列结构板(4-4)的金属方块大小均不相同。

5.根据权利要求4所述的一种金属阵列检测转换装置，其特征在于：所述检测单元(4)设置有四个，且相互对称设置为十字形。

6.根据权利要求5所述的一种金属阵列检测转换装置，其特征在于：所述金属方块阵列结构板(4-4)在可见光波段透射谱线的透射谷位置对应的波长为λ，当所述金属方块的长为

60nm对应的波长λ为λ1＝530nm，当所述金属方块的长为80nm对应的波长λ为λ2＝550nm，当所述金属方块的长为100nm对应的波长λ为λ3＝580nm，当所述金属方块的长为120nm对应的波长λ为λ4＝610nm；

当λ∈(0，λ1]，执行第一种逻辑运算A；

当λ∈(λ1，λ2]，执行第二种逻辑运算B；

当λ∈(λ2，λ3]，执行第三种逻辑运算C；

当λ∈(λ3，λ4]，执行第四种逻辑运算D；

当λ≥λ4，执行第五种逻辑运算E。