1.新型双极化低通带吸型频率选择结构，为周期性分布结构，吸波带频段范围为4-

7GHz，相对带宽为54.5%，其特征在于每个结构单元垂直设置，包括带阻反射面和吸波面；吸波面与带阻反射面前后平行设置，且吸波面和带阻反射面之间留有一段空气间隙；

所述的吸波面包括第一介质基片、以及镀在第一介质基片其中一表面的第一金属环；

所述的第一金属环为封闭环形结构，边长小于第一介质基片的两轴长度，金属环的四边中心处分别焊接有一个射频电阻；

所述的带阻反射面包括第二介质基片、以及镀在第二介质基片其中一表面的第二金属环；所述的第二金属环为封闭环形结构，边长小于第二介质基片两轴长度；

上述的第一、二金属环与第一、二介质基片的中心重叠；

吸波面和带阻反射面之间的空气间隙的距离ha = 9.4 mm；

第一、二金属环的尺寸完全相同，金属环的边长dl = 14.5 mm；

第一介质基片和第二介质基片的介质厚度ts= 0.508 mm；

所述的射频电阻阻值相同，阻值R = 370 ohm。

2.如权利要求1所述的新型双极化低通带吸型频率选择结构，其特征在于吸波面和带阻反射面之间的空气间隙距离小于带阻反射面反射频率对应的波长的四分之一。

3.如权利要求1所述的新型双极化低通带吸型频率选择结构，其特征在于所述的射频电阻阻值相同。

4.如权利要求1所述的新型双极化低通带吸型频率选择结构，其特征在于所述的第一、二介质基片的尺寸完全相同。

5.如权利要求1所述的新型双极化低通带吸型频率选择结构，其特征在于所述的第一、二金属环的尺寸完全相同。

6.如权利要求1所述的新型双极化低通带吸型频率选择结构，其特征在于第二金属环谐振产生带阻特性，该带阻频率是由第二金属环的尺寸决定的。

7.如权利要求1所述的新型双极化低通带吸型频率选择结构，其特征在于中间空气间隙的距离与第二金属环谐振频点设计有关。

8.如权利要求1所述的新型双极化低通带吸型频率选择结构，其特征在于带阻反射面上的第二金属环谐振反射对应频段的电磁波，产生传输零点。