1.一种基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位，其特征在于，它的第一个主自由度分配给写入操作，第二个主自由度分配给读出操作，其中第一和第二主自由度之一是一个自旋电子电荷，而另外一个是一个相位。

2.根据权利要求1所述的基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位，其特征在于，第一主自由度分配给写入操作的是一个自旋电子电荷，分配给读出操作的第二主自由度是一个相位。

3.一种基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位，其特征在于，它的第一个主自由度分配给写入操作，第二个主自由度分配给读出操作，其中第一和第二主自由度之一是一个自旋电子电荷，而另外一个是一个相位，它包含：一个自激励自旋电磁单电子晶体管模块包含第一个和第二个自激励自旋电磁单电子晶体管，它们定义了一个闭合的晶体管环路，形成一个自旋电子量子位；

一个写入电路包含一个晶体管的栅电极和掺杂纳米线碳化硅多型互嵌晶体形成栅极电容，栅电极电容性地耦合到有源区，允许这个量子位置于量子位的两个基态的一个或另一个，或者这些态的相干叠加中，一个源于可调电压源的偏压Vg施加到栅电极上；

一个读出电路包含有一个自激励自旋电磁单电子晶体管作为读出晶体管，插入所述的晶体管环路，它的有源区电导率是第一和第二个晶体管的两倍以上。

4.根据权利要求3所述的基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位，其特征在于，晶体管环路被构造成使得如此形成的量子位的跃迁频率f0可以被调整为相对于外部参数和扰动是定态的。

5.根据权利要求3所述的基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位，其特征在于，它包括能够通过作用在量子位的相位差上而引起能够感应一个穿过晶体管环路的可调节磁通量的元件。

6.根据权利要求3所述的基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位，其特征在于，它包括一个独立于写入电路的读出电路，连接到所述量子位的晶体管环路中，除读出晶体管外，还具有在读出期间用于施加一个可参数化的持续时间和幅度的电流脉冲Ib部件，也具有用于检测作为读脉冲的结果出现在读出晶体管的终端上探测2π相位跃迁的部件，专门为两个态之一。

7.根据权利要求5所述的基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位，其特征在于，它的参数是栅电极所加的直流偏压Vg组成的有效电容电荷Ng和由穿过晶体管环路中的磁通量Φ和读电流Ib的晶体管相位差δ，在运行点Fi，对应于两套参数Ng和δ，其中量子位的跃迁频率f0是定态的。

8.根据权利要求6所述的基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位，其特征在于，读出序列中产生具有峰值Ibc的读脉冲序列，用于施加电流脉冲的部件提供一个相对于读脉冲的方向为负的定态电流，其峰值小于Ibc，使得当读脉冲到达时，可以将晶体管相位差δ移位π/2～π之间。

9.一个多量子位器件，其特征在于，它包含至少第一个室温晶体管室温自旋量子位，它具有一个分配给写入的自旋电子电荷主自由度，分配给读出的相位差的第二个主自由度，至少一个第二个室温晶体管室温自旋量子位，它具有一个分配给写入的电荷主自由度，分配给读出的相位差的第二个主自由度，一个耦合器件耦合两者，即所述的第一和第二个量子位的室温自旋电子电荷属性的两个第一个主自由度。

10.根据权利要求9所述的多量子位器件，其特征在于，多量子位器件所述的耦合器件包含至少一个电容器。