1.一种晶界调控n型碲化铋薄膜性能的方法，其特征在于，所述方法包括以下过程：第一步以商用Bi2Te3靶和Te靶为靶材，采用磁控溅射技术在加热基底上制备n型Bi2Te3薄膜；

第二步以商用Sn为原料，采用蒸发技术，在n型Bi2Te3的表面镀上Sn薄膜；

第三步采用保护气退火炉对镀Sn薄膜后的n型Bi2Te3薄膜在高温下退火后，随炉冷却；

上述第一步薄膜制备过程中：加热基底的温度为573K 623 K；商用Bi2Te3靶和Te靶的~

纯度均为99.99wt%；Bi2Te3靶和Te靶为圆型靶或矩形靶；Bi2Te3靶和Te靶分别使用独立的溅射电源，Bi2Te3靶采用直流或射频电源，Te靶采用射频或直流电源，Bi2Te3靶和Te靶以共溅射形式同时工作；加热基底为玻璃片或硅片；n型Bi2Te3薄膜厚度为760nm；

上述第二步薄膜制备过程中：蒸发为电子束蒸发或热蒸发或激光蒸发；商用Sn的纯度为99.99wt%；蒸发的Sn薄膜厚度为1nm 15nm；

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上述第三步退火过程中：保护气为95%氩气+5%氢气或纯氩气；退火温度为573 K；保护气气压大于大气压；退火时间为0.5h 2h。

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