1.一种无运放高阶低温漂带隙基准电路，包括：

启动电路，用于启动无运放高阶低温漂带隙基准电路；包括：

第一电阻，具有第一端和第二端，其第一端耦接至第一电源端接收正电源，第二端耦接至第一NMOS管的漏极和第一NMOS管的栅极；

第一NMOS管，具有栅极、漏极和源极，其栅极耦接至第一电阻第二端，其漏极耦接至第一电阻第二端，其源极耦接至第一PNP型双极型晶体管发射极；

第一PNP型双极型晶体管，具有发射极、基极和集电极，其集电极耦接至第一NMOS管源 极，其基极耦接至第三NPN型双极型晶体管基极和第四NPN型双极型晶体管基极，其发射极耦接至第二电源端接收负电源；

第二电阻，具有第一端和第二端，其第一端耦接至第一电源端接收正电源，其第二端耦接至第一NPN型双极型晶体管基极和第一NPN型双极型晶体管集电极；

第一NPN型双极型晶体管，具有集电极、基极和发射极，其集电极耦接至第二电阻第二端，其基极耦接至第二电阻第二端，其发射极耦接至第一稳压二极管第一端和第二NPN型双极型晶体管基极；以及第二NPN型双极型晶体管，具有基极、集电极和发射极，其基极耦接至第一NPN型双极型晶体管发射极和第一稳压二极管第一端，其集电极耦接至第一电源端接收正电源，其发射极耦接至第NPN型双极型晶体管基极和第四NPN型双极型晶体管基极；

高阶低温漂补偿电路，用于产生正温度系数电流和负温度系数电流，正温度系数电流和负温度系数电流相互补偿产生低温漂系数，包括:正温度系数补偿电路和负温度系数补偿电路；以及自举偏置电路，用于提供正负温度系数补偿电路的偏置电流；

所述负温度系数补偿电路包括：

第一PNP型双极型晶体管，具有发射极、基极和集电极，其发射极耦接至第一NMOS管源极，其基极耦接至第三NPN型双极型晶体管基极和第四NPN型双极型晶体管基极，其集电极耦接至第二电源端接收负电源；

第一稳压二极管，具有第一端和第二端，其第一端耦接至第一NPN型双极型晶体管发射极和第二NPN型双极型晶体管基极，其第二端耦接至第二电源端接收负电源；

第三NPN型双极型晶体管，具有集电极、基极和发射极，其集电极耦接至第五NPN型双极型晶体管发射极，其基极耦接至第二NPN型双极型晶体管发射极和第四NPN型双极型晶体管 基极，其发射极耦接至第二NMOS管栅极、第二NMOS管漏极、第四电阻第二端；

第三电阻，具有第一端和第二端，其第一端耦接至第二电源端接收负电源，其第二端耦接至第四电阻第一端；

第四电阻，具有第一端和第二端，其第一端耦接至第三电阻第二端，其第二端耦接至第三NPN型双极型晶体管发射极和第五电阻第二端；

第五电阻，具有第一端和第二端，其第一端耦接至第三NPN型双极型晶体管基极和第四NPN型双极型晶体管基极，其第二端耦接至第四电阻第二端；

第二NMOS管，具有栅极、漏极和源极，其漏极耦接至第三NPN型双极型晶体管发射极，其栅极耦接至第三NPN型双极型晶体管发射极，其源极耦接至第二正电源端接收正电源；以及第六NPN型双极型晶体管，具有集电极、基极和发射极，其集电极耦接至第二PMOS管栅极和第二PMOS管源极，其基极耦接至第五PNP型双极型晶体管集电极和第四NPN型双极型晶 体管集电极，其发射极耦接至第二稳压二极管第一端；

所述正温度系数补偿电路包括：

第四NPN型双极型晶体管，具有集电极、基极和发射极，其集电极耦接至第五PNP型双极型晶体管集电极，其基极耦接至第三NPN型双极型晶体管基极、第五电阻第一端和第一PNP 型双极型晶体管基极，其发射极耦接至第七NPN型双极型晶体管集电极；

第七NPN型双极型晶体管，具有集电极、基极和发射极，其集电极耦接至第四NPN型双极型晶体管发射极，其基极耦接至第六电阻第二端和第七电阻第一端，其发射极耦接至第二电源端接收负电源；

第二稳压二极管，具有第一端和第二端，其第一端耦接至第六NPN型双极型稳压二极管发射极，其第二端耦接至第六电阻第一端；

第六电阻，具有第一端和第二端，其第一端耦接至第二稳压二极管第二端，其第二端耦接至第七电阻第一端；以及第七电阻，具有第一端和第二端，其第一端耦接至第六电阻第二端，其第二端耦接至第二电源端接收负电源。

2.根据权利要求1所述的无运放高阶低温漂带隙基准电路，其中，所述的高阶低温漂补偿电路包括：正温度系数补偿电路，提供具有正温度系数特性的电压，利用正温度系数电压补偿负温度系数电压；

负温度系数补偿电路，提供具有负温度系数特性的电压，利用负温度系数电压补偿正温度系数电压。

3.根据权利要求1所述的无运放高阶低温漂带隙基准电路，其中，所述自举偏置电路包括：第一PMOS管，具有源极、栅极和漏极，其源极耦接至第一电源端接收正电源，其栅极耦接至第二PNP型双极型晶体管发射极，其漏极耦接至第二PNP型双极型晶体管发射极；

第二PNP型双极型晶体管，具有发射极、基极和集电极，其发射极耦接至第一PMOS管栅极和第一PMOS管漏极，其基极耦接至第四PNP型双极型晶体管基极和第五PNP型双极型晶体 管发射极，其集电极耦接至第三PNP型双极型晶体管发射极；

第三PNP型双极型晶体管，具有发射极、基极和集电极，其发射极耦接至第二PNP型双极型晶体管集电极，其基极耦接至第五PNP型双极型晶体管基极和第三NPN型双极型晶体管集 电极，其集电极耦接至第三NPN型双极型晶体管集电极；

第二PMOS管，具有源极、栅极和漏极，其源极耦接至第一PMOS管源极和第六NPN型双极型晶体管集电极，其栅极耦接至第四PNP型双极型晶体管发射极，其漏极耦接至第四PNP型双极型晶体管发射极；

第四PNP型双极型晶体管，具有发射极、基极和集电极，其发射极耦接至第二PMOS管栅极和第二PMOS管漏极，其基极耦接至第二PNP型双极型晶体管基极和第五PNP型双极型晶体 管发射极，其集电极耦接至第二PNP型双极型晶体管基极和第五PNP型双极型晶体管发射极；

第五PNP型双极型晶体管，具有发射极、基极和集电极，其发射极耦接至第二PNP型双极型晶体管基极和第四PNP型双极型晶体管基极，其基极耦接至第三PNP型双极型晶体管基极 和第五NPN型双极型晶体管集电极，其集电极耦接至第四NPN型双极型晶体管集电极和第六 NPN型双极型晶体管基极；以及第五NPN型双极型晶体管，具有集电极、基极和发射极，其集电极耦接至第三PNP型双极型晶体管集电极、第三PNP型双极型晶体管基极和第五PNP型双极型晶体管基极，其基极耦接至第一电阻第二端和第一NMOS管漏极，其发射极耦接至第三NPN型双极型晶体管集电极。

4.根据权利要求2所述的无运放高阶低温漂带隙基准电路，其特征在于，所述的第二稳压二极管提供一个恒定电压，用于稳定输出。

5.根据权利要求4所述的无运放高阶低温漂带隙基准电路，其特征在于，所述的第二稳压二极管，采用齐纳二极管，用于提供零温度系数电流。

6.根据权利要求2所述的无运放高阶低温漂带隙基准电路，其特征在于，所述的第六电阻调节负温度系数，所述的第七电阻调节正温度系数。

7.根据权利要求5所述的无运放高阶低温漂带隙基准电路，其特征在于，所述的第二稳压二极管包括调节温度系数，为第六电阻和第七电阻提供零温度系数的电流。

8.根据权利要求2所述的无运放高阶低温漂带隙基准电路，其特征在于，所述第三电阻阻值与所述第四电阻阻值相等。